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1. (WO2007097335) APPAREIL ET PROCEDE DE PLACAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/097335    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/053096
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 20.02.2007
CIB :
C25D 5/22 (2006.01), C25D 5/16 (2006.01), C25D 7/00 (2006.01), C25D 7/06 (2006.01), C25D 17/00 (2006.01), H05K 3/42 (2006.01)
Déposants : IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome, Ogaki-shi Gifu 5030917 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAI, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAI, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAI, Toru; (JP).
KAWAI, Satoru; (JP)
Mandataire : TASHITA, Akihito; 22-6, Sakae 1-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-045358 22.02.2006 JP
Titre (EN) PLATING APPARATUS AND METHOD OF PLATING
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE PLACAGE
(JA) めっき装置及びめっき方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a method of plating capable of forming a filled via of 7 μm or less surface unevenness degree. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The thickness of diffusion layer (region wherein the concentration of plating components and additives is low) can be reduced by direct contact of flexible insulating contact body (18) as compared with that by the conventional agitation method of bubbling or emitting a jet of plating solution onto the substrate. Accordingly, an inhibitor contained in plating solution components is likely to stick more onto the surface to be plated excluding that of the interior of via hole (36) (within depressed portion) than in the conventional agitation method. By contrast, in the interior of via hole (36) (within depressed portion), since the thickness of the diffusion layer is large as much as the depth of the via hole (36) (depressed portion), sticking of the inhibitor is poor as in the conventional agitation method. Therefore, in the interior of via hole (36) (depressed portion), the rate of growth of plating film is higher than in other regions.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de cette invention concerne la mise en œuvre d'un procédé de placage capable de former un trou traversant plein dont le degré d'irrégularité de la surface est inférieur ou égal à 7 &mgr;m. La solution proposée consiste à réduire l'épaisseur de la couche de diffusion (zone dans laquelle la concentration des composants et des additifs de placage est faible) grâce au contact direct du corps de contact isolant souple (18) par comparaison au procédé d'agitation classique qui consiste à obtenir des bulles de jet ou projeter un jet de solution de placage sur le substrat. Ainsi, un inhibiteur contenu dans les composants de la solution de placage est susceptible de plus coller à la surface à plaquer, à l'exception de l'intérieur du trou traversant (36) (dans la partie renfoncée), que dans le procédé d'agitation classique. Par contraste, à l'intérieur du trou traversant (36) (dans la zone renfoncée), l'épaisseur de la couche de diffusion étant aussi grande que la profondeur du trou traversant (36) (zone renfoncée), l'inhibiteur colle peu comme dans le procédé d'agitation classique. Par conséquent, à l'intérieur du trou traversant (36) (partie renfoncée), le taux de croissance du film de placage est supérieur à celui d'autres zones.
(JA)  【課題】 表面の凹凸量が7μm以下であるフィルドビアを形成できるめっき方法を提案する。   【解決手段】 可撓性を有する絶縁性接触体18が直接接触することにより、従来のバブリングやめっき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層(めっき成分や添加剤濃度が薄い領域)を薄くすることができる。このため、バイアホール36内部(凹内)を除く被めっき表面には、従来の攪拌方法よりめっき液成分中に含まれている抑制剤が多くつきやすい。それに対し、バイアホール36の内部(凹内)はバイアホール36(凹)の深さ分拡散層の厚さが厚いので、従来の攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。それ故、バイアホール36内部(凹部)はそれ以外の部分に比してめっき膜の成長速度が速くなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)