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1. (WO2007097165) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/097165    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051557
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 31.01.2007
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
ONOUE, Tomoaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YASUDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUTSUI, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ONOUE, Tomoaki; (JP).
YASUDA, Takeshi; (JP).
TSUTSUI, Tetsuo; (JP)
Mandataire : KOSHIBA, Masaaki; Koshiba Patent Office, Nisshin Building 14-22, Shitennoji 1-chome, Tennoji-ku Osaka-shi, Osaka 5430051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-050245 27.02.2006 JP
Titre (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a field effect transistor using an organic thin film, which realizes a low threshold voltage while securing a stable high field effect mobility. Specifically disclosed is a field effect transistor (1) comprising a gate electrode (3), a source electrode (6), a drain electrode (7), a semiconductor film (5), a gate insulating film (4) and a substrate (2). The gate insulating film (4) is composed of a plurality of insulating layers (11, 12). The first insulating layer (11) in contact with the semiconductor film (5) is composed of a polyparaxylylene film formed by a CVD method, while the second insulating layer (12) is made of, for example, cyanoethylpullulan and has a higher dielectric constant than the first insulating layer (11).
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ qui utilise un film organique fin, qui réalise une faible tension de seuil tout en sécurisant une mobilité à effet de champ élevé stable. Il s'agit plus spécifiquement d'un transistor à effet de champ (1) comprenant une électrode de grille (3), une électrode source (6), une électrode de drain (7), un film semi-conducteur (5), un film isolant de grille (4) et un substrat (2). Le film isolant de grille (4) est composé d'une pluralité de couches isolantes (11, 12). La première couche d'isolation (11) en contact avec le film semi-conducteur (5) se compose d'un film polyparaxylène formé par procédé de CVD, tandis que la seconde couche isolante (12) est fabriquée, par exemple, de cyanoéthylpullulan et comprend une constante diélectrique plus élevée que la première couche isolante (11).
(JA) 安定した高い電界効果移動度を確保しながら、低いしきい電圧を同時に実現し得る、有機薄膜を用いた電界効果トランジスタを提供する。  ゲート電極(3)、ソース電極(6)、ドレイン電極(7)、半導体膜(5)、ゲート絶縁膜(4)および基板(2)を備える、電界効果トランジスタ(1)において、ゲート絶縁膜(4)を複数の絶縁層(11および12)から構成する。ここで、半導体膜(5)に接する第1の絶縁層(11)は、CVD法によって成膜されたポリパラキシリレンからなり、第2の絶縁層(12)は、たとえばシアノエチルプルランからなり、第1の絶縁層(11)より誘電率が高くされる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)