WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007097078) SUBSTRAT A MATRICE ACTIVE, AFFICHAGE ET TELEVISEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/097078    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/322676
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 14.11.2006
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Masanori; (US Seulement).
TSUBATA, Toshihide; (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Masanori; .
TSUBATA, Toshihide;
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-049362 24.02.2006 JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, DISPLAY, AND TELEVISION SET
(FR) SUBSTRAT A MATRICE ACTIVE, AFFICHAGE ET TELEVISEUR
(JA) アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機
Abrégé : front page image
(EN)An active matrix substrate comprising a transistor, a pixel electrode (17), a conductor (18) having a function as one electrode of a holding capacitor, a drain lead-out electrode (7) connected to the drain electrode of the transistor and overlying over the conductor (18) and a contact hole (11) for connecting the drain lead-out electrode (7) and the pixel electrode (17) in each pixel region. In the active matrix substrate, a first thick film portion (41) superimposed on at least a part of the contact hole (11) and a second thick film portion (42) adjacent to the first thick film portion and superimposed on the drain lead-out electrode are formed on a gate insulating film (40) covering the gate electrode of each transistor. The film thickness of the first thick film portion (41) is greater than that of the second thick film portion (42). Thus, an active matrix substrate in which a short circuit between the conductor having the function as the one electrode of the holding capacitor and the drain lead-out electrode (or the pixel electrode) can be surely prevented is provided.
(FR)La présente invention concerne un substrat à matrice active comprenant un transistor, une électrode de pixel (17), un conducteur (18) ayant une fonction d'électrode d'un condensateur de maintien, une électrode de sortie déversoir (7) connectée à l'électrode déversoir du transistor et recouvrant le conducteur (18) et un orifice de contact (11) pour connecter l'électrode de sortie déversoir (7) et l'électrode de pixel (17) dans chaque région de pixel. Dans le substrat à matrice active, une première partie de film épais (41) superposée sur une partie au moins de l'orifice de contact (11) et une seconde partie de film épais (42) adjacente à la première partie de film épais et superposée sur l'électrode de sortie déversoir sont formées sur un film isolant de grille (40) couvrant l'électrode de grille de chaque transistor. L'épaisseur de film de la première partie de film épais (41) est supérieure à celle de la seconde partie de film épais (42). Ainsi est prévu un substrat à matrice active dans lequel un court-circuit peut être empêché avec certitude entre le conducteur ayant la fonction d'électrode du condensateur de maintien et l'électrode de sortie déversoir (ou l'électrode de pixel).
(JA) 各画素領域に、トランジスタと、画素電極(17)と、保持容量の一方電極としての機能を有する導電体(18)と、上記トランジスタのドレイン電極に接続するとともに上記導電体(18)と重畳するドレイン引き出し電極(7)と、該ドレイン引き出し電極(7)および上記画素電極(17)を接続するコンタクトホール(11)と、を備えたアクティブマトリクス基板において、各トランジスタのゲート電極を覆うゲート絶縁膜(40)に、コンタクトホール(11)の少なくとも一部と重畳する第1の膜厚部(41)と、該第1の膜厚部に隣接し、上記ドレイン引き出し電極と重畳する第2の膜厚部(42)とを形成し、上記第1の膜厚部(41)を第2の膜厚部(42)より膜厚を大きくする。これにより、保持容量の一方電極としての機能を有する導電体とドレイン引き出し電極(あるいは画素電極)との短絡を確実に防止できるアクティブマトリクス基板を提供できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)