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1. (WO2007096939) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS OPTIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/096939    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/302975
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 20.02.2006
CIB :
H01S 5/20 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
TAKADA, Kan [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKADA, Kan; (JP).
YAMAMOTO, Tsuyoshi; (JP)
Mandataire : OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS OPTIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 光半導体装置とその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide an optical semiconductor device having improved luminous efficiency and a method for manufacturing such optical semiconductor device. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] An optical semiconductor device has a first optical semiconductor element (51) provided with an InP substrate (20); a lower clad layer (21) formed on the InP substrate (20); a lower light guide layer (22) which is formed on the lower clad layer (21) and is composed of AlGaInAs; an active layer (23), which is formed on the lower light guide layer (22) and has a multiquantum well structure wherein well layers (23a) and barrier layers (23b) composed of AlGaInAs are alternately laminated; an upper light guide layer (24) which is formed on the active layer (23) and is composed of InGaAsP; and an upper clad layer (25) formed on the upper light guide layer (24).
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de l'invention est de fournir un dispositif à semi-conducteurs optique disposant d'une efficacité lumineuse améliorée et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteurs optique. Le moyen de résoudre le problème consiste à réaliser un dispositif à semi-conducteurs optique ayant un premier élément à semi-conducteurs optique (51) muni d'un substrat d'InP (20), une couche plaquée inférieure (21) formée sur le substrat d'InP (20), une couche de guide lumineux inférieure (22) formée sur la couche plaquée inférieure (21) et composée de AlGaInAs, une couche active (23), formée sur la couche de guide lumineux inférieure (22) et qui possède une couche de puits multi-quantique dans laquelle des couches de puits (23a) et des couches barrière (23b) composées de AlGaInAs sont alternativement stratifiées, une couche de guide lumineux supérieure (24) formée sur la couche active (23) et composée de InGaAsP, ainsi qu'une couche plaquée supérieure (25) formée sur la couche de guide lumineux supérieure (24).
(JA)【課題】従来よりも発光効率が高められた光半導体装置とその製造方法を提供すること。 【解決手段】InP基板20と、InP基板20上に形成された下部クラッド層21と、下部クラッド層21上に形成されたAlGaInAsよりなる下部光ガイド層22と、下部光ガイド層22上に形成され、井戸層23aとAlGaInAsよりなるバリア層23bとが交互に積層された多重量子井戸構造を有する活性層23と、活性層23上に形成されたInGaAsPよりなる上部光ガイド層24と、上部光ガイド層24上に形成された上部クラッド層25とを備えた第1光半導体素子51を有することを特徴とする光半導体装置による。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)