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1. (WO2007096390) PROCEDE ET COMPOSITIONS DE PLACAGE ET DE REMPLISSAGE DIRECT AU CUIVRE POUR FORMER DES INTERCONNEXIONS DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/096390    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/051681
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 21.02.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.12.2007    
CIB :
C25D 3/38 (2006.01), C25D 5/54 (2006.01), C25D 5/18 (2006.01)
Déposants : ALCHIMER [FR/FR]; 15 rue du Buisson aux Fraises, Z.I. de la Bonde, F-91300 Massy (FR) (Tous Sauf US).
GONZALEZ, José [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MONCHOIX, Hervé [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : GONZALEZ, José; (FR).
MONCHOIX, Hervé; (FR)
Mandataire : HUBERT, Philippe; Cabinet Beau de Lomenie, 158 Rue de l'Université, F-75340 Paris Cedex 07 (FR)
Données relatives à la priorité :
60/774,675 21.02.2006 US
Titre (EN) METHOD AND COMPOSITIONS FOR DIRECT COPPER PLATING AND FILLING TO FORM INTERCONNECTS IN THE FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCEDE ET COMPOSITIONS DE PLACAGE ET DE REMPLISSAGE DIRECT AU CUIVRE POUR FORMER DES INTERCONNEXIONS DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)The object of the present invention is a method and compositions for direct copper plating and filling to form interconnects in the fabrication of semiconductor devices. According to the invention, this method comprises : providing an electrolytic copper bath containing, in solution in a solvent, a source of copper ions with a concentration of between 45 and 200 mM, preferably of between 45 and 100 mM and at least one copper complexing agent which is an aliphatic polyamine having 2 to 4 amine functions with a concentration of between 30 and 200 mM, preferably of between 60 and 200 mM; the copper/complexing agent (s) molar ratio being of between 0.2 and 2, preferably between 0.3 and 1.5; bringing a copper diffusion barrier layer of a substrate into contact with said electrolytic copper bath, applying an electrical bias to the substrate for a duration adjusted according to the thickness of copper to be electroplated, removing the substrate from said electrolytic copper bath.
(FR)La présente invention concerne un procédé et des compositions de placage et de remplissage direct au cuivre pour former des interconnexions dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes qui consistent à obtenir un bain de cuivre électrolytique qui contient en solution dans un solvant une source d'ions cuivre à une concentration comprise entre 45 et 200 mM, de préférence comprise entre 45 et 100 mM, et au moins un agent complexant du cuivre qui est une polyamine aliphatique à 2-4 fonctions amine, à une concentration comprise entre 30 et 200 mM, de préférence entre 60 et 200 mM, la proportion molaire entre le cuivre et le ou les agents complexants étant comprise entre 0,2 et 2 et de préférence entre 0,3 et 1,5, à amener une couche de barrière à la diffusion du cuivre d'un support en contact avec ledit bain de cuivre électrolytique, à appliquer un potentiel électrique sur le support pendant une durée ajustée en fonction de l'épaisseur de cuivre à électroplaquer et à enlever le support dudit bain de cuivre électrolytique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)