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1. (WO2007096084) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR: PROCÉDÉ DE FABRICATION ET UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/096084    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/001325
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 15.02.2007
CIB :
H01L 31/052 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (Tous Sauf US).
SCHULTZ, Oliver [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOFMANN, Marc [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHULTZ, Oliver; (DE).
HOFMANN, Marc; (DE)
Mandataire : PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöhe 13, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 007 797.0 20.02.2006 DE
Titre (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG SOWIE DESSEN VERWENDUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING IT AND USE FOR IT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR: PROCÉDÉ DE FABRICATION ET UTILISATION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit mindestens einer optisch verspiegelten Oberfläche, bei dem ein Silicium- wafer, der an zumindest einer seiner Oberflächen zumindest bereichsweise eine ätzbare dielektrische Schicht aufweist, mit einer siliciumhaltigen Maskierungsschicht zur Abschirmung gegenüber fluidischen Medien versehen wird. Auf der Maskierungsschicht wird zusätzlich eine Schicht aus Aluminium abgeschieden und anschließend eine thermische Behandlung des Halbleiterbauelementes vorgenommen, wobei es zur Auflösung des Siliciums im Aluminium kommt. Weiterhin betrifft die Erfindung ein entsprechendes Halbleiterbauelement aus einem Siliciumwaf er mit mindestens einer optisch verspiegelten Oberfläche. Verwendung finden derartige Halbleiterbauelemente insbesondere als Solarzellen.
(EN)The invention relates to a method for producing a semiconductor component with at least one surface made optically reflective, in which a silicon wafer, which has an etchable dielectric layer at least in certain regions on at least one of its surfaces, is provided with a silicon-containing masking layer for shielding it from fluidic media. A layer of aluminium is additionally deposited on the masking layer and a thermal treatment of the semiconductor component is subsequently performed, causing the silicon in the aluminium to break down. The invention also relates to a corresponding semiconductor component made from a silicon wafer with at least one surface made optically reflective. Semiconductor components of this type are used in particular as solar cells.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur avec au moins une surface métallisée optique, dans lequel une plaquette de silicium qui comporte une couche diélectrique pouvant être gravée au moins sur une zone sur au moins une de ses surfaces, comporte une couche de masquage contenant du silicium pour la protection contre les media fluides. Une couche d'aluminium est ajoutée sur la couche de masquage et un traitement thermique du composant semi-conducteur est ensuite réalisé, la dissolution du silicium étant réalisée dans l'aluminium. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur correspondant constitué d'une plaquette de silicium avec au moins une surface métallisée optique. De tels composants semi-conducteurs trouvent une application en particulier comme cellules solaires.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)