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1. (WO2007095972) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE ET UNE COUCHE MÉTALLIQUE COUPLÉES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET MATÉRIAU DE COUPLAGE DE PASSIVATION COMPRENANT DE MULTIPLES COMPOSANTS ORGANIQUES UTILISÉS DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/095972    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/002852
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 24.02.2006
CIB :
C07F 7/18 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Greoenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL).
FARKAS, Janos [US/FR]; (FR) (US Seulement).
CALVO-MUNOZ, Maria Luisa [ES/FR]; (FR) (US Seulement).
KORDIC, Srdjan [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : FARKAS, Janos; (FR).
CALVO-MUNOZ, Maria Luisa; (FR).
KORDIC, Srdjan; (NL)
Mandataire : PENNINGS, Johannes; NXP Semiconductors, IP Department, High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTORDEVICE INCLUDING A COUPLED DIELECTRIC LAYER AND METAL LAYER, METHOD OF FABRICATION THEREOF, AND PASSIVATING COUPLING MATERIAL COMPRISSING MULTIPLE ORGANIC COMPONENTS FOR USE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE ET UNE COUCHE MÉTALLIQUE COUPLÉES, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET MATÉRIAU DE COUPLAGE DE PASSIVATION COMPRENANT DE MULTIPLES COMPOSANTS ORGANIQUES UTILISÉS DANS UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A material (20) for passivating a dielectric layer (10) in a semiconductor device has a molecular structure permitting or at least promoting liquid phase metal deposition (30) thereon in a subsequent process step. The contemplated material may be constituted by multiple organic components. A semiconductor device including a layer of the passivating coupling material, and a method of manufacturing such a semiconductor device are also contemplated.
(FR)L'invention concerne un matériau (20) de passivation d'une couche diélectrique (10) dans un dispositif à semi-conducteurs, présentant une structure moléculaire permettant ou au moins favorisant un dépôt métallique (30) en phase liquide au cours d'une étape de traitement ultérieure. Le matériau de l'invention peut être constitué de multiples composants organiques. L'invention concerne également un dispositif à semi-conducteurs comprenant une couche de matériau de couplage de passivation, et un procédé de fabrication d'un tel dispositif à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)