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1. (WO2007095451) CIRCUIT OSCILLATEUR CMOS HAUTE FREQUENCE A GAIN ELEVE ET PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/095451    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061857
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 08.02.2007
CIB :
H03B 5/36 (2006.01)
Déposants : CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP. [US/US]; 198 Champion Court, San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
MAHESHWARI, Sanjeev, Kumar [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAHESHWARI, Sanjeev, Kumar; (US)
Mandataire : DAFFER, Kevin, L.; Daffer McDaniel, LLP, P.O. Box 684908, Austin, TX 78768-4908 (US)
Données relatives à la priorité :
11/351,987 10.02.2006 US
Titre (EN) HIGH GAIN, HIGH FREQUENCY CMOS OSCILLATOR CIRCUIT AND METHOD
(FR) CIRCUIT OSCILLATEUR CMOS HAUTE FREQUENCE A GAIN ELEVE ET PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)An oscillator amplifier circuit is provided. The amplifier circuit can be used with a resonator to amplify and form a resonating oscillator. The amplifier circuit comprises an active circuit which includes an inverter and a current-controlled biasing circuit. One transistor of the inverter receives a voltage produced from the biasing circuit in order to place a gate terminal of that transistor at approximately a threshold voltage. The other transistor can be biased using a passive circuit element, such as a resistor. Therefore, both transistors are biased independent of each other within the optimal gain region. Large shunt capacitors are not required and the total current consumption is controlled through a variable resistor coupled to the source terminal of either the first transistor, second transistor, or possibly both transistors of the inverter to adjust the amplitude of the oscillating output.
(FR)La présente invention concerne un circuit amplificateur d'oscillateur. Ledit circuit peut être utilisé avec un résonateur pour amplifier et former un oscillateur résonant. Ledit circuit comprend un circuit actif qui comprend un inverseur et un circuit de polarisation commandé par courant. Un transistor de l'inverseur reçoit une tension produite à partir du circuit de polarisation dans le but de mettre un terminal de grille de ce transistor à approximativement une tension seuil. L'autre transistor peut être polarisé à l'aide d'un élément de circuit passif, tel qu'une résistance. En conséquence, les deux transistors sont polarisés indépendamment l'un de l'autre dans la région de gain optimal. De grands condensateurs de dérivation ne sont pas nécessaires et toute la consommation de courant est commandée au moyen d'une résistance variable couplée au terminal de source soit du premier transistor, soit du second transistor, soit éventuellement des deux transistors de l'inverseur pour ajuster l'amplitude de la sortie oscillante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)