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1. (WO2007095421) PROCEDE DE POLISSAGE ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/095421    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061401
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 31.01.2007
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), B01J 19/12 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
DU, Tianbo [CN/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Feng, Q. [CN/US]; (US) (US Seulement).
DUBOUST, Alain [FR/US]; (US) (US Seulement).
HSU, Wei-yung [CN/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Liang-yuh [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DU, Tianbo; (US).
LIU, Feng, Q.; (US).
DUBOUST, Alain; (US).
HSU, Wei-yung; (US).
CHEN, Liang-yuh; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; PATTERSON & SHERIDAN, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
11/355,769 15.02.2006 US
Titre (EN) METHOD FOR ELECTROCHEMICALLY POLISHING A CONDUCTIVE MATERIAL ON A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE POLISSAGE ELECTROCHIMIQUE D'UN MATERIAU CONDUCTEUR SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)Methods are provided for removing conductive materials from a substrate surface. In one aspect, a method includes providing a substrate comprising dielectric feature definitions formed between substrate field regions, a barrier material disposed in the feature definitions and on the substrate field regions, and a conductive material disposed on the barrier material, polishing the substrate to substantially remove a bulk portion of the conductive material with a direct current bias, and polishing the substrate to remove a residual portion of the conductive material with a pulse bias.
(FR)La présente invention concerne des procédés pour retirer des matériaux conducteurs d'une surface de substrat. Dans un aspect, un procédé comprend la fourniture d'un substrat comprenant des définitions de caractéristiques diélectriques formées entre des régions de champ de substrat, un matériau barrière disposé dans lesdites définitions et sur lesdites régions, et un matériau conducteur disposé sur le matériau barrière, le polissage du substrat pour retirer sensiblement une partie massive du matériau conducteur avec une polarisation en continu et le polissage du substrat pour retirer une partie résiduelle du matériau conducteur avec une polarisation pulsée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)