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1. (WO2007095407) SYSTEME D'EVAPORATION DE PRECURSEUR DE FILM ET PROCEDE D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/095407    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/060561
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 16.01.2007
CIB :
C23C 16/448 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS BROADCAST CENTER, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP) (Tous Sauf US).
TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard, Austin, TX 78741-6500 (US) (JP only).
SUZUKI, Kenji [JP/US]; (US) (US Seulement).
GUIDOTTI, Emmanuel, P. [FR/US]; (US) (US Seulement).
LEUSINK, Gerrit, J. [NL/US]; (US) (US Seulement).
HARA, Masamichi [JP/US]; (US) (US Seulement).
KUROIWA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIZAKA, Tadahiro [JP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Kenji; (US).
GUIDOTTI, Emmanuel, P.; (US).
LEUSINK, Gerrit, J.; (US).
HARA, Masamichi; (US).
KUROIWA, Daisuke; (JP).
ISHIZAKA, Tadahiro; (US)
Mandataire : DAVIDSON, Kristi, L.; WOOD, HERRON & EVANS, L.L.P., 441 VINE STREET, 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US)
Données relatives à la priorité :
11/351,539 10.02.2006 US
Titre (EN) FILM PRECURSOR EVAPORATION SYSTEM AND METHOD OF USING
(FR) SYSTEME D'EVAPORATION DE PRECURSEUR DE FILM ET PROCEDE D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)A high conductance, multi-tray film precursor evaporation system (1 ) coupled with a high conductance vapor delivery system (40) is described for increasing deposition rate by increasing exposed surface area of film precursor. The multi-tray film precursor evaporation system (50) includes one or more trays (340). Each tray is configured to support and retain film precursor (350) in, for example, solid powder form or solid tablet form. Additionally, each tray is configured to provide for a high conductance flow of carrier gas over the film precursor while the film precursor is heated. For example, the carrier gas flows inward over the film precursor, and vertically upward through a flow channel (318) within the stackable trays and through an outlet (322) in the solid precursor evaporation system.
(FR)Système (1) d'évaporation de précurseur de film multi-bacs à conductance élevée, couplé à un système (40) de distribution de vapeur à conductance élevée et destiné à augmenter le taux de déposition en augmentant l'aire de la surface exposée du précurseur de film. Le système (50) d'évaporation de précurseur de film multi-bacs comprend un ou plusieurs bacs (340). Chaque bac est configuré pour supporter et retenir du précurseur (350) de film, par exemple sous forme de poudre solide ou de tablettes solides. De plus, chaque bac est configuré pour assurer un écoulement à conductance élevée de gaz porteur par-dessus le précurseur de film tandis que ledit précurseur de film est chauffé. Par exemple, le gaz porteur s'écoule vers l'intérieur par-dessus le précurseur de film et verticalement vers le haut par un canal (318) d'écoulement à l'intérieur des bacs empilables et à travers une sortie (322) du système d'évaporation de précurseur solide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)