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1. (WO2007095381) module sip avec un COUVERCLE monoface
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/095381    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004178
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 13.02.2007
CIB :
H01L 23/04 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
TAKIAR, Hem [US/US]; (US) (US Seulement).
MIDDLEKAUFF, Warren [US/US]; (US) (US Seulement).
MILLER, Robert, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TAKIAR, Hem; (US).
MIDDLEKAUFF, Warren; (US).
MILLER, Robert, C.; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/356,279 15.02.2006 US
Titre (EN) A SIP MODULE WITH A SINGLE SIDED LID
(FR) module sip avec un COUVERCLE monoface
Abrégé : front page image
(EN)A single-lid flash memory card and methods of manufacturing same are disclosed. The single-sided lid flash memory card may be formed from a semiconductor package having two or more tapered, stepped or otherwise shaped edges capable of securing a single-sided lid thereon. The taper, step or other shape may be fabricated by various methods, including during the molding step or during the singulation step. A semiconductor package having shaped edges may be enclosed within an external lid to form a finished flash memory card. The lid may be applied to a single side of the semiconductor package by various processes, including over-molding, or by pre-forming the lid with interior edges to match the exterior edges of the semiconductor package, and then sliding the lid over the package to form a tight fit therebetween. The shaped edge of the semiconductor package effectively holds the lid securely on the memory card without any adhesives and prevents the lid from dislodging from the semiconductor package.
(FR)L'invention concerne une carte de mémoire flash à couvercle monoface et des procédés de fabrication de celle-ci. La carte de mémoire flash à couvercle monoface peut être formée à partir d'un boîtier de semi-conducteurs ayant deux bordures ou plus, coniques, étagées ou autrement formées capables de fixer un couvercle monoface sur celles-ci. Le cône, l'étage ou une autre forme peuvent être fabriqués par divers procédés, y compris pendant l'étape de moulage ou pendant l'étape de séparation. Un boîtier de semi-conducteurs ayant des bordures formées peut être enfermé dans un couvercle externe pour former une carte de mémoire flash finie. Le couvercle peut être appliqué sur un côté unique du boîtier de semi-conducteurs par divers processus, comprenant le surmoulage, ou par préformation du couvercle avec des bordures intérieures pour s'adapter aux bordures extérieures du boîtier de semi-conducteurs, et ensuite le glissement du couvercle sur le boîtier pour former un ajustement serré entre celles-ci. La bordure formée du boîtier de semi-conducteurs maintient efficacement le couvercle bien sur la carte mémoire sans aucun adhésif et empêche le couvercle de se dégager du boîtier de semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)