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1. (WO2007094957) GRAVURE DE MASQUE PHOTORÉSISTANT INFINIMENT SÉLECTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094957    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/002511
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 30.01.2007
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
KIM, Ji Soo [KR/US]; (US) (US Seulement).
CIRIGLIANO, Peter [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Sangheon [KR/US]; (US) (US Seulement).
HEO, Dongho [KR/US]; (US) (US Seulement).
CHOI, Daehan [KR/US]; (US) (US Seulement).
SADJADI, S.M. Reza [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Ji Soo; (US).
CIRIGLIANO, Peter; (US).
LEE, Sangheon; (US).
HEO, Dongho; (US).
CHOI, Daehan; (US).
SADJADI, S.M. Reza; (US)
Mandataire : LEE, Michael B.K.; Beyer Law Group LLP, P.O. Box 1687, Cupertino, CA 95015-1687 (US)
Données relatives à la priorité :
11/357,548 17.02.2006 US
Titre (EN) INFINITELY SELECTIVE PHOTORESIST MASK ETCH
(FR) GRAVURE DE MASQUE PHOTORÉSISTANT INFINIMENT SÉLECTIVE
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching features into an etch layer disposed below a photoresist mask without an intermediate hardmask is provided. A plurality of etch cycles are provided. Each etch cycle comprises providing a deposition etch phase that etches features into the etch layer and deposits polymer on sidewalls of the features and over the photoresist and providing a cleaning phase that removes polymer deposited on the sidewalls.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de graver des éléments dans une couche de gravure disposée en dessous d'un masque photorésistant sans masque dur intermédiaire. Le procédé est constitué d'une pluralité de cycles de gravure. Chaque cycle de gravure consiste à réaliser une phase de gravure par dépôt qui grave les éléments de gravure dans la couche de gravure et dépose un polymère sur les parois latérales des éléments et sur le masque photorésistant et à réaliser une phase de nettoyage qui retire le polymère déposé sur les parois latérales.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)