WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007094813) POLYMÈRES CONDUCTEURS POUR ÉLECTRODÉPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094813    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/022768
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 12.06.2006
CIB :
C25D 5/02 (2006.01)
Déposants : VIRGIN ISLANDS MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 9800 Buccaneer Mall; Suite 210, St. Thomas, Virgin Islands 00802 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : GORRELL, Jonathan; (US).
DAVIDSON, Mark; (US)
Mandataire : DAVIDSON, J. Scott; DAVIDSON BERQUIST JACKSON & GOWDEY, LLP, 4300 Wilson Blvd., 7th Floor, Arlington, VA 22203 (US)
Données relatives à la priorité :
11/350,812 10.02.2006 US
Titre (EN) CONDUCTIVE POLYMERS FOR THE ELECTROPLATING
(FR) POLYMÈRES CONDUCTEURS POUR ÉLECTRODÉPOSITION
Abrégé : front page image
(EN)A process to produce ultra-small structures of between ones of nanometers to hundreds of micrometers in size, in which the structures are compact, nonporous and exhibit smooth vertical surfaces. Such processing is accomplished using a non-conductive or semi-conductive substrate on which a layer of a conductive material, such as a conductive polymer, is applied, and on which a second layer of a masking material, such as a pattern resist material, is applied. Following patterning of the second resist layer, and either the full or partial etching of the conductive polymer, or alternatively omitting the step of etching the conductive layer, electroplating techniques will be used to produce ultra-small structures on the substrate or alternatively directly on the conductive layer, after which either all of remaining portions of the conductive polymer layer and the resist layer will be removed, or only the resist layer will be removed, or alternatively neither will be removed.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à produire des structures de très petite échelle, dont la taille va du nanomètre à la centaine de micromètres, lesdites structures étant compactes, nanoporeuses, et présentant des surfaces verticales lisses. Ce traitement est accompli grâce à l'utilisation d'un substrat non-conducteur ou semi-conducteur sur lequel sont appliquées une couche d'un matériau conducteur, tel qu'un polymère conducteur, et une seconde couche d'un matériau de masquage, tel qu'un matériau en résine structurée. Après structuration de la seconde couche de résine, et gravure complète ou partielle du polymère conducteur ou, en variante, après exclusion de l'étape de gravure de la couche conductrice, des techniques d'électrodéposition seront utilisées pour produire des structures de très petite échelle sur le substrat ou bien directement sur la couche conductrice, après quoi, soit toutes les parties restantes de la couche de polymère conducteur et de la couche de résine seront enlevées, soit seule la couche de résine sera enlevée, soit encore rien ne sera enlevé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)