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1. (WO2007094759) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR PRÉSENTANT UNE CONNEXION PRÉSENTANT UN REVÊTEMENT DÉPOSÉ PAR GALVANOPLASTIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094759    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/004729
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 10.02.2006
CIB :
H01L 23/02 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 495 Mercury Drive, Sunnyvale, CA 94085 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : LUO, Leeshawn; (US).
LIU, Kai; (US).
SUN, Ming; (US).
ZHANG, Xiao, Tiang; (US)
Mandataire : VAN PELT, Lee; VAN PELT, YI & JAMES LLP, 10050 N. Foothill Blvd., Suite 200, Cupertino, CA 95014 (US)
Données relatives à la priorité :
11/058,913 15.02.2005 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH PLATED CONNECTION
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR PRÉSENTANT UNE CONNEXION PRÉSENTANT UN REVÊTEMENT DÉPOSÉ PAR GALVANOPLASTIE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor package and method for making a semiconductor package are disclosed. The semiconductor package has a top surfa 718 and a mounting surface 720 and include a die 210, a conducting connecting material 203, a plating material 504 and an insulating material 500. The die has a processed surface 206 facing towards the mounting surface 720 of the semiconductor package. Exposed metal connections 212 are at the processed surface of the die 210. The conducting connecting material is disposed on the exposed met connections 212. The plating material 104 is in contact with the conducting connecting material 203, and the plating material 504 extends to the exterior of the insulating material 500.
(FR)L'invention concerne un boîtier de semi-conducteur et un procédé permettant de fabriquer un boîtier de semi-conducteur. Ce boîtier de semi-conducteur présente une surface supérieure et une surface de montage, et comprend un dé, une matière de connexion conductrice, une matière de galvanoplastie, et une matière isolante. Le dé présente une surface traitée tournée vers la surface de montage du boîtier de semi-conducteur. Les connexions métalliques exposées se situent sur la surface traitée du dé. La matière de connexion conductrice est appliquée sur les connexions métalliques exposées. La matière appliquée par galvanoplastie est en contact avec la matière de connexion conductrice. La matière isolante est formée autour de la matière de connexion conductrice, et la matière de galvanoplastie s'étend à l'extérieur de la matière isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)