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1. (WO2007094612) FILM DE FIXATION DE MATRICE DE DÉCOUPAGE EN DÉS ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094612    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/000789
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 14.02.2007
CIB :
H01L 21/52 (2006.01)
Déposants : LS Cable Ltd. [KR/KR]; 19-20f Asem Tower 159 Samsung-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-090 (KR) (Tous Sauf US).
SEO, Joon-Mo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KANG, Byoung-Un [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
WI, Kyung-Tae [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jae-Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SUNG, Tae-Hyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HYUN, Soon-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Byoung-Kwang [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Chan-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : SEO, Joon-Mo; (KR).
KANG, Byoung-Un; (KR).
WI, Kyung-Tae; (KR).
KIM, Jae-Hoon; (KR).
SUNG, Tae-Hyun; (KR).
HYUN, Soon-Young; (KR).
LEE, Byoung-Kwang; (KR).
CHOI, Chan-Young; (KR)
Mandataire : PHIL & ONZI INT'L PATENT & LAW FIRM; Jinsuk B/D 8F., 1536-7, Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-872 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0014379 14.02.2006 KR
10-2007-0015219 14.02.2007 KR
Titre (EN) DICING DIE ATTACHMENT FILM AND METHOD FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR USING THE SAME
(FR) FILM DE FIXATION DE MATRICE DE DÉCOUPAGE EN DÉS ET PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE DERNIER
Abrégé : front page image
(EN)A dicing die attachment film includes a die attachment layer attached to one surface of a semiconductor wafer; a dicing film layer attached to a dicing die that is used for cutting the semi-conductor wafer into die units; and an intermediate layer laminated between the die attachment layer and the dicing film layer. The intermediate layer has a modulus of 100 to 3000 MPa, which is greater than a modulus of the die attachment layer and the dicing film layer.
(FR)L'invention concerne un film de fixation de matrice de découpage en dés comprenant une couche de fixation de matrice fixée à une surface d'une plaquette semi-conductrice; une couche de film à découpage en dés fixée à une matrice de découpage en dés qui est utilisée pour découper la plaquette semi-conductrice en unités de puces; et une couche intermédiaire stratifiée entre la couche de fixation de matrice et la couche de film à découpage en dés. La couche intermédiaire présente un module compris entre 100 et 3000 MPa qui est supérieur à un module de la couche de fixation de puce et de la couche de film à découpage en dés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)