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1. (WO2007094516) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À BASE DE GaN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094516    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/053331
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 16.02.2007
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (Tous Sauf US).
OSAWA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HODOTA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OSAWA, Hiroshi; (JP).
HODOTA, Takashi; (JP)
Mandataire : FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-039282 16.02.2006 JP
60/778,366 03.03.2006 US
2006-111833 14.04.2006 JP
Titre (EN) GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À BASE DE GaN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A GaN-based semiconductor light-emitting device 1 includes a stacked body 1OA having the component layers 12 that include an n-type semiconductor layer, a light- emitting layer and a p-type semiconductor layer each formed of a GaN-based semiconductor, sequentially stacked and provided as an uppermost layer with a first bonding layer 14 made of metal and a second bonding layer 33 formed on an electroconductive substrate 31, adapted to have bonded to the first bonding layer 14 the surface thereof lying opposite the side on which the electroconductive substrate 31 is formed, made of a metal of the same crystal structure as the first bonding layer 14, and allowed to exhibit an identical crystal orientation in the perpendicular direction of the bonding surface and the in-plane direction of the bonding surface.
(FR)Le dispositif semi-conducteur 1 émetteur de lumière à base de GaN selon l'invention comprend un corps empilé 10A comportant des couches 12 de composants qui comprennent une couche semi-conductrice de type n, une couche émettrice de lumière et une couche semi-conductrice de type p constituées chacune d'un semi-conducteur à base de GaN, empilées séquentiellement et comportant comme couche supérieure une première couche de connexion 14 constituée de métal et une seconde couche de connexion 33 disposée sur un substrat électroconducteur 31, conçue pour que la première couche de connexion 14 soit connectée à sa surface opposée du côté sur lequel le substrat électroconducteur 31 est disposé, constituée d'un métal de même structure cristalline que la première couche de connexion 14 et capable de présenter une orientation cristalline identique dans la direction perpendiculaire de la surface de connexion et dans la direction dans le plan de la surface de connexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)