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1. (WO2007094490) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094490    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052910
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 13.02.2007
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (Tous Sauf US).
KASAHARA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEDA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONO, Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KASAHARA, Kenji; (JP).
UEDA, Kazumasa; (JP).
ONO, Yoshinobu; (JP)
Mandataire : ENOMOTO, Masayuki; c/o Sumitomo Chemical Intellectual Property Service, Limited 5-33, Kitahama 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5418550 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-039067 16.02.2006 JP
Titre (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A Group III nitride semiconductor light emitting device; and a process for producing the same. There is provided a Group III nitride semiconductor light emitting device including, disposed in the sequence, (a1) N electrode, (b1) semiconductor multilayer film and (c1) transparent conductive oxide P electrode. The semiconductor multilayer film includes, disposed in the sequence, an N-type semiconductor layer, a light emitting layer, a P-type semiconductor layer and a high-concentration N-type semiconductor layer of 5×1018 to 5×1020 cm-3 n-type impurity concentration. The N-type semiconductor layer is in contact with the N electrode, and the semiconductor multilayer film has a convex portion. Further, there is provided a Group III nitride semiconductor light emitting device including (a2) transparent conductive oxide N electrode, (b2) semiconductor multilayer film and (c2) P electrode. The semiconductor multilayer film includes, disposed in the sequence, a high-concentration N-type semiconductor layer of 5×1018 to 5×1020 cm-3 n-type impurity concentration, an N-type semiconductor layer, a light emitting layer and a P-type semiconductor layer. The P-type semiconductor layer is in contact with the P electrode, and the semiconductor multilayer film has a convex portion.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur émetteur de lumière au nitrure du groupe III ; et son procédé de fabrication. Elle concerne un dispositif semi-conducteur émetteur de lumière au nitrure du groupe III, comprenant, disposées dans cette ordre, (a1) une électrode N, (b1) une pellicule multicouche semi-conductrice et (c1) une électrode P transparente en oxyde conducteur. La pellicule multicouche semi-conductrice comprend, disposées dans cet ordre, une couche semi-conductrice de type N, une couche émettrice de lumière, une couche semi-conductrice de type P et une couche semi-conductrice de type N à forte concentration dont la concentration en impuretés de type n est comprise entre 5×1018 et 5×1020 cm-3. La couche semi-conductrice de type N est en contact avec l'électrode N et la pellicule semi-conductrice multicouche comporte une partie convexe. L'invention concerne en outre un dispositif semi-conducteur émetteur de lumière au nitrure du groupe III comprenant (a2) une électrode N transparente en oxyde conducteur, (b2) une pellicule semi-conductrice multicouche et (c2) une électrode P. La pellicule multicouche semi-conductrice comprend, disposées dans cet ordre, une couche semi-conductrice de type N à forte concentration dont la concentration en impuretés de type n est comprise entre 5×1018 et 5×1020 cm-3, une couche semi-conductrice de type N, une couche émettrice de lumière et une couche semi-conductrice de type P. La couche semi-conductrice de type P est en contact avec l'électrode P et la pellicule semi-conductrice multicouche comporte une partie convexe.
(JA) 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。3族窒化物半導体発光素子は(a1)、(b1)及び(c1)をこの順に含む。(a1)N電極、(b1)半導体多層膜、(c1)透明導電性酸化物P電極、ここで、半導体多層膜は、N型半導体層、発光層、P型半導体層、n型不純物濃度が5×1018cm-3~5×1020cm-3である高濃度N型半導体層をこの順に含み、N型半導体層はN電極に接し、かつ半導体多層膜は凸部を有する。また、3族窒化物半導体発光素子は(a2)、(b2)及び(c2)を含む。(a2)透明導電性酸化物N電極、(b2) 半導体多層膜、(c2) P電極、ここで、半導体多層膜は、n型不純物濃度が5×1018cm-3~5×1020cm-3である高濃度N型半導体層、N型半導体層、発光層、P型半導体層、をこの順に含み、P型半導体層はP電極に接し、かつ半導体多層膜は凸部を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)