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1. (WO2007094469) procede de formation d'une structure metallifere et procede de formation d'un stratife metallifere
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094469    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052884
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 16.02.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.08.2007    
CIB :
C23C 18/14 (2006.01), B32B 15/08 (2006.01), C23C 28/00 (2006.01)
Déposants : INTER-UNIVERSITY RESEARCH INSTITUTE CORPORATION NATIONAL INSTITUTES OF NATURAL SCIENCES [JP/JP]; 2-21-1, Osawa, Mitaka-shi, Tokyo 1818588 (JP) (Tous Sauf US).
NISHI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIJO, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OISHI, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHI, Nobuyuki; (JP).
NISHIJO, Junichi; (JP).
OISHI, Osamu; (JP)
Mandataire : SUGIMURA, Kenji; 7F, Kazan Building 2-4, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-041173 17.02.2006 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING METALLIFEROUS STRUCTURE AND METHOD OF FORMING METALLIFEROUS LAMINATE
(FR) procede de formation d'une structure metallifere et procede de formation d'un stratife metallifere
(JA) 金属含有構造体の形成方法、及び金属含有積層体の形成方法
Abrégé : front page image
(EN)Metal atom cluster is formed by providing an organometallic acetylide cluster compound with the form of (R-C≡C--M+)m or ((R-C≡C-)2-M'2+)n (wherein M=Cu, Ag or Au; M'=Fe, Co or Ni; m and n are integers; and R is a hydrocarbon group, such as methyl (-CH3) or tertiary butyl (-C(CH3)3)); exposing the organometallic acetylide cluster compound to light to thereby photoexcite the organometallic acetylide cluster compound into an ethynyl anion and a metal cation; and inducing neutralization through charge transfer between the ethynyl anion and the metal cation. Accordingly, the problems caused by the conventional sputtering method and plating method having been employed in device manufacturing are solved, and there is provided a novel method of forming a metalliferous structure being the basis of manufacturing of nanoscale extremely miniaturized devices, and provided a novel method of forming a metalliferous laminate that is one being an advancement of the above method.
(FR)Selon la présente invention, un groupe d'atomes métalliques est formé en fournissant un composé de groupes d'acétylure organométallique de la forme (R-C≡C--M+)m ou ((R-C≡C-)2-M'2+)n (dans laquelle M = Cu, Ag ou Au; M' = Fe, Co ou Ni; m et n sont des entiers; et R est un groupe hydrocarbure, tel que le méthyle (-CH3) ou le butyle tertiaire (-C(CH3)3)); en exposant ledit composé à la lumière afin de photoexciter ainsi ledit composé en un anion d'éthynyle et un cation métallique; et induire une neutralisation au moyen d'un transfert de charge entre l'anion d'éthynyle et le cation métallique. En conséquence, les problèmes engendrés par le procédé classique de pulvérisation cathodique et le procédé de placage utilisés dans la fabrication du dispositif sont résolus, et on propose un nouveau procédé de formation d'une structure métallifère étant la base de la fabrication de dispositifs extrêmement miniaturisés à l'échelle du nanomètre, ainsi qu'un nouveau procédé de formation d'un stratifié métallifère qui représente une avancée du procédé ci-dessus.
(JA)(R-C≡C-Mm、又は((R-C≡C2-M'2+)n、(ここで、M=Cu、AgまたはAu、M'=Fe,CoまたはNi、m及びnは整数、Rはメチル(-CH3)基や3級ブチル(-C(CH33)基などの炭化水素基)の形を持つ有機金属アセチリドクラスター化合物を準備し、前記有機金属アセチリドクラスター化合物に対して光照射を行い、前記有機金属アセチリドクラスター化合物を光励起して、エチニルアニオンと金属カチオンとを生成するとともに、前記エチニルアニオンと前記金属カチオンとの間における電荷移動を通じて中性化を生ぜしめ、金属原子クラスターを生成する。これにより、従来の素子作製に用いられてきたスパッタリング法やメッキ法などに起因した諸問題を解決し、ナノスケールの極微小化した素子作製の基本となる、新規な金属含有構造体の形成方法、さらには、この形成方法を発展させた新規な金属含有積層体の形成方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)