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1. (WO2007094299) LIQUIDE DE TRAITEMENT POUR SUBSTRAT DE RESIST ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT DE RESIST L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094299    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052485
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 13.02.2007
CIB :
G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : AZ Electronic Materials (Japan) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AU, AZ, BA, BB, BF, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, HR, ID, IL, IN, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, RS, RU, SC, SD, SG, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue Somerville, NJ 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR only).
NOYA, Go [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Masakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMAZAKI, Ryuta [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOYA, Go; (JP).
KOBAYASHI, Masakazu; (JP).
SHIMAZAKI, Ryuta; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-036932 14.02.2006 JP
Titre (EN) PROCESSING LIQUID FOR RESIST SUBSTRATE AND METHOD OF PROCESSING RESIST SUBSTRATE USING THE SAME
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT POUR SUBSTRAT DE RESIST ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT DE RESIST L'UTILISANT
(JA) レジスト基板用処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法
Abrégé : front page image
(EN)It is intended to provide a processing liquid for resist substrates, which makes it possible to simultaneously and readily solve the problems of foreign matters sticking to pattern surface, pattern inversion and pattern roughness, and a pattern formation method using the same. This processing liquid for resist substrates contains a primary amine or an ammonia alkylene oxide adduct having a hydrocarbon group carrying from 11 to 30 carbon atoms together with water. The pattern formation method as described above comprises processing a developed pattern with the use of the processing liquid for resist substrates.
(FR)La présente invention concerne un liquide de traitement pour substrats de résist, qui rend possible de résoudre simultanément et aisément les problèmes des corps étrangers collant à la surface du motif, de l'inversion du motif et de la rugosité du motif, et un procédé de formation de motif utilisant ce liquide. Ce liquide de traitement pour substrats de résist contient une amine primaire ou un produit d'addition d'un oxyde d'alkylène d'ammoniaque possédant un groupe hydrocarboné contenant de 11 à 30 atomes de carbone ainsi que de l'eau. Le procédé de formation de motif tel que décrit ci-dessus comprend le traitement d'un motif développé en utilisant le liquide de traitement pour substrats de résist.
(JA) パターン表面の異物、パターン倒れ、およびパターンラフネスの問題を同時に簡便に解決することができるレジスト用基板処理液とそれを用いたパターン形成方法を提供する。このレジスト基板用処理液は、炭素数が11~30の炭化水素基を有する一級アミンまたはアンモニアのアルキレンオキサイド付加物と、水とを含んでなる。また、本発明によるパターン形成詳報は、そのレジスト基板処理液を用いて現像後のパターンを処理することを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)