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1. (WO2007094233) SUBSTRAT SOI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094233    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052236
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 08.02.2007
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo1000005 (JP) (Tous Sauf US).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Atsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOBISAKA, Yuuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : AKIYAMA, Shoji; (JP).
KUBOTA, Yoshihiro; (JP).
ITO, Atsuo; (JP).
TANAKA, Koichi; (JP).
KAWAI, Makoto; (JP).
TOBISAKA, Yuuji; (JP)
Mandataire : OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Kasumigaseki Building 36F, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo1006036 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-037771 15.02.2006 JP
Titre (EN) SOI SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SOI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SOI
(JA) SOI基板およびSOI基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An oxide film (11) having a thickness tOX of not less than 0.2 μm is provided on a single-crystal silicon substrate (10) on its laminating face. In a method for manufacturing an SOI substrate according to the present invention, a low-temperature process is adopted for suppressing the occurrence of thermal distortion attributable to the difference in the coefficient of thermal expansion between the silicon substrate (10) and a quartz substrate (20). To this end, the thickness tOX of the oxide film (11) is brought to a large value of not less than 0.2 μm to impart satisfactory mechanical strength to the thin film to be separated and, at the same time, to allow strain to be absorbed in and relaxed by the relatively thick oxide film to suppress the occurrence of transfer defects during the step of separation. A substrate satisfying a relationship of 2L ≤ tOX, wherein tOX represents the thickness of the oxide film and L represents the average ion implantation depth of the hydrogen ion-implanted layer (12), may be used as the single-crystal silicon substrate (10) to be laminated onto the quartz substrate (20).
(FR)Dans la présente invention, une pellicule d'oxyde (11) dont l'épaisseur tOX est supérieure ou égale à 0,2 µm est disposée sur un substrat de silicium monocristallin (10) sur sa face de stratification. Dans un procédé de fabrication d'un substrat SOI selon la présente invention, un traitement à basse température est adopté pour supprimer l'apparition d'une distorsion thermique attribuable à la différence de coefficient d'expansion thermique entre le substrat de silicium (10) et un substrat de quartz (20). Dans ce but, l'épaisseur tOX de la pellicule d'oxyde (11) est amenée à une valeur importante supérieure ou égale à 0,2 µm pour conférer une résistance mécanique satisfaisante à la pellicule mince à séparer et, en même temps, pour permettre l'absorption et l'atténuation de la contrainte par la pellicule d'oxyde relativement épaisse pour supprimer l'apparition de défauts de transfert pendant l'étape de séparation. Un substrat satisfaisant la relation 2L ≤ tOX, tOX représentant l'épaisseur de la pellicule d'oxyde et L représentant la profondeur d'implantation d'ions moyenne de la couche implantée d'ions hydrogène (12), peut être utilisé comme substrat de silicium monocristallin (10) destiné à être stratifié sur le substrat de quartz (20).
(JA) 単結晶シリコン基板(10)の貼り合わせ面には、膜厚toxが0.2μm以上の酸化膜(11)が設けられている。本発明のSOI基板の製造方法では、シリコン基板(10)と石英基板(20)との間の熱膨張係数差に起因する熱歪の発生を抑制するために低温プロセスを採用する。このため、酸化膜(11)の膜厚toxを0.2μm以上と厚く設定して剥離される薄膜に十分な機械的強度をもたせ、かつ比較的厚膜の酸化膜に歪を吸収・緩和させることで剥離工程中での転写欠陥の発生を抑制する。石英基板(20)と貼り合わせる単結晶シリコン基板(10)として、酸化膜の膜厚と水素のイオン注入層(12)の平均イオン注入深さLが2L≦toxの関係を満足する基板を用いることとしてもよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)