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1. (WO2007094087) PROCEDE DE DECAPAGE A SEC, PROCEDE DE FORMATION D'UNE MICROSTRUCTURE, MOULE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094087    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/310215
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 23.05.2006
CIB :
C04B 41/91 (2006.01), C23F 4/00 (2006.01), G02B 6/13 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAGAWA, Hideo; (US Seulement).
SASAGO, Masaru; (US Seulement).
MURAKAMI, Tomoyasu; (US Seulement)
Inventeurs : NAKAGAWA, Hideo; .
SASAGO, Masaru; .
MURAKAMI, Tomoyasu;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-034853 13.02.2006 JP
Titre (EN) METHOD OF DRY ETCHING, METHOD OF MICROSTRUCTURE FORMATION, MOLD AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) PROCEDE DE DECAPAGE A SEC, PROCEDE DE FORMATION D'UNE MICROSTRUCTURE, MOULE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)WC substrate (7) is etched with the use of plasma (50) produced from a mixed gas consisting of a gas containing halogen atoms and a gas containing nitrogen atoms.
(FR)Un substrat WC (7) est décapé en utilisant un plasma (50) produit à partir d'un mélange gazeux consistant en un gaz contenant des atomes d'halogène et un gaz contenant des atomes d'azote.
(JA) WC基板7に対して、ハロゲン原子を含むガスと窒素原子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマ50を用いてエッチングを行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)