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1. (WO2007094063) AMPLIFICATEUR DE LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/094063    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/302711
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 16.02.2006
CIB :
H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
MORITO, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI, Susumu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORITO, Ken; (JP).
YAMAZAKI, Susumu; (JP).
TANAKA, Shinsuke; (JP)
Mandataire : KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku Tokyo 170-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体光増幅装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an SOA, which uses an InP substrate (11) as a semiconductor substrate and GaInNAs having tensile strain introduced as an active layer (14) and is not dependent on polarized wave. The characteristic of not being dependent on polarized wave is obtained by introducing tensile strain, and while outputting highly saturated light by thinning the active layer (14), the band gap of the active layer (14) is reduced and a gain peak wavelength is increased by using GaInNAs, which is provided by adding nitrogen (N) to GaInAs, as a material for the active layer (14). Thus, even there exists band filling to the active layer (14) at the time of applying a high current, high gain is achieved especially in C band and L band.
(FR)La présente invention concerne un amplificateur optique à semiconducteur (SOA) qui utilise un substrat à l'InP (11) en tant que substrat semi-conducteur et du GaInNAs présentant une contrainte de traction en tant que couche active (14) et qui n'est pas dépendant d'une onde polarisée. La caractéristique d'indépendance par rapport à une onde polarisée est obtenue en introduisant une contrainte de traction, et, tout en émettant une lumière hautement saturée en amincissant la couche active (14), la bande interdite de la couche active (14) est réduite et le pic de gain est augmenté en utilisant du GaInNAs, obtenu en ajoutant de l'azote (N) à du GaInAs, comme matériau pour la couche active (14). Ainsi, même en présence d'un remplissage de bande de la couche active (14) au moment d'appliquer un fort courant, un gain élevé est obtenu, en particulier dans la bande C et dans la bande L.
(JA) 本発明では、半導体基板としてInP基板(11)を用い、活性層(14)として伸張歪を導入したGaInNAsを用いてなる偏波無依存型のSOAを提示する。この構成によれば、伸張歪の導入により偏波無依存化を実現するとともに、活性層(14)の膜厚を薄くすることで高飽和光出力化を実現するも、GaInAsに窒素(N)を添加したGaInNAsを活性層(14)の材料に用いることで当該活性層(14)のバンドギャップを小さくして利得ピーク波長を長波化させ、活性層(14)への高電流注入時にバンドフィリングが存在しても、特にC帯及びL帯における高利得化が実現する。  
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)