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1. (WO2007093966) planarisation non conductrice de surface de substrat pour couvercle de moule
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/093966    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050490
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 14.02.2007
CIB :
H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
FELTEN, Gene [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FELTEN, Gene; (US)
Mandataire : ZAWILSKI, Peter; c/o Philips Intellectual Property & Standards, 1109 McKay Drive, M/S-41SJ, San Jose, California 95131-1706 (US)
Données relatives à la priorité :
60/774,119 15.02.2006 US
Titre (EN) NON-CONDUCTIVE PLANARIZATION OF SUBSTRATE SURFACE FOR MOLD CAP
(FR) planarisation non conductrice de surface de substrat pour couvercle de moule
Abrégé : front page image
(EN)Consistent with an example embodiment, there is a method for fabricating a semiconductor package having a substrate. The method comprises defining an encapsulation boundary on a surface of the substrate; the encapsulation boundary is divided into a molding region and a non-molding region. Over the substrate, a plurality of conductive traces is provided. Each conductive trace has an inner connection located in the molding region and an outer connection located in the non-molding region. A plurality of non-conducting dummy traces across the encapsulation boundary is provided. The plurality of non-conductive dummy traces are interposed among the conductive traces and are spaced apart at an interval less than a predetermined minimum air- vein forming distance (Dm1n). A solder mask over the substrate covers the conductive traces and the non-conductive dummy traces. The molding region of the substrate is encapsulated with a molding compound.
(FR)Selon un exemple de mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de fabrication de paquet semi-conducteur présentant un substrat. Le procédé consiste à définir une limite d'encapsulation sur une surface du substrat ; la limite d'encapsulation étant divisée en une région de moulage et une région de non-moulage. Une pluralité de traces conductrices sont disposées au-dessus du substrat. Chaque trace conductrice présente une connexion interne située dans la région de moulage et une connexion externe située dans la région de non-moulage. Une pluralité de traces factices non conductrices sont disposées de part et d'autre de la limite d'encapsulation. La pluralité de traces factices non conductrices sont interposées parmi les traces conductrices et espacées d'un intervalle inférieur à une distance minimale prédéterminée de formation de veine d'air (Dm1n). Un masque de brasage sur le substrat recouvre les traces conductrices et les traces factices non conductrices. La région de moulage du substrat est encapsulée avec un composé de moulage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)