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1. (WO2007093229) CIRCUIT DE PROTECTION POUR SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE DÉCONNECTABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/093229    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/066898
Date de publication : 23.08.2007 Date de dépôt international : 29.09.2006
CIB :
H03K 17/0814 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (Tous Sauf US).
ALNASSEIR, Jamal [SY/DE]; (DE) (US Seulement).
FLOTTEMESCH, Jörg [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HEROLD, Gerhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEINDL, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ALNASSEIR, Jamal; (DE).
FLOTTEMESCH, Jörg; (DE).
HEROLD, Gerhard; (DE).
WEINDL, Christian; (DE)
Représentant
commun :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2005 049 208.8 07.10.2005 DE
Titre (DE) SCHUTZBESCHALTUNG FÜR ABSCHALTBARE LEISTUNGSHALBLEITER
(EN) PROTECTIVE CIRCUIT FOR DISCONNECTABLE POWER SEMICONDUCTORS
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION POUR SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE DÉCONNECTABLES
Abrégé : front page image
(DE)Um eine Vorrichtung (1) zum Schalten eines elektrischen Stromes zwischen Polen (5, 6) einer Gleichspannungsquelle (7) und einem Anschluss mit abschaltbaren Leistungshalbleitern (3), die in Reihe zwischen die Pole (5, 6) geschaltet sind, und einer Schutzschaltung, die wenigstens eine Strombegrenzerinduktivität (LON1, LON2) in Reihe zu den Leistungshalbleitern (3) und einen Abschaltschutz aufweist, wobei der Abschaltschutz parallel zu jedem Leistungshalbleiter angeordnete Abschalteinheiten (10, 11) mit einer zum jeweiligen Leistungshalbleiter (3) gleichsinnigen Abschaltdiode (DS1,DON1, DS2, DON2) und einem in Reihe zur Abschaltdiode angeordneten Abschaltkondensator (CS1,..., CS2) aufweist, bereitzustellen, die auch bei Spannungen im Mittel- und Hochspannungsbereich aufwandsarm und kostengünstig ist und die gleichzeitig eine Beschädigung der Leistungshalbleiter sicher vermeidet, wird vorgeschlagen, dass die Strombegrenzerinduktivitäten (LON1, LON2) zwischen die Leistungshalbleiter (3) geschaltet sind und eine Verbindung zwischen den Strombegrenzungsinduktivitäten (LON1, LON2) den Anschluss (8) darstellt, wobei diejenigen Abschalteinheiten (11), die parallel zu den Leistungshalbleitern (3) angeordnet sind, zwischen denen der Anschluss ausgebildet ist, an einem Potenzialpunkt zwischen dem jeweiligen Abschaltkondensator (CS2, CS3) und der Abschaltdiode (DON1, DON2) über einen Zwischenwiderstand (RON) miteinander verbunden sind.
(EN)The invention relates to a device (1) for switching an electric current between poles (5, 6) of a constant voltage source (7) and a connection having disconnectable power semiconductors (3) which are arranged in series between the poles (5, 6), and a circuit protection which comprises at least one current limiting inductivity (LON1, LON2) in series with the power semiconductors (3) and a circuit protection. Said circuit protection comprises switch-off units (10, 11) which are arranged parallel to each power semiconductor, said switch-off units (10, 11) comprising a switch-off diode (DS1,DON1, DS2, DON2) in the same direction as the respective power semiconductor (3), and a switch-off capacitor (CS1,..., CS2) which is arranged in a series with the switch-off diode. The aim of the invention is to produce a device of said type which is easy and economical to produce, having voltages in the average and high voltage range, and which also prevents damage to the power semiconductor in a secure manner. As a result, the current limiting inductivities are mounted (LON1, LON2) between the power semiconductors (3) and a connection between the current limiting inductivities (LON1, LON2) represent a connection (8). Each of the switch-off units (11) which are arranged parallel to the power semi-conductors (3) between which the connection is established are interconnected to a potential point between the respective switch-off capacitor (CS2, CS3) and the switch off diode (DON1, DON2) by means of a intermediate resistance (RON).
(FR)L'invention concerne un dispositif (1) pour commuter un courant électrique entre des pôles (5, 6) d'une source de tension continue (7) et un raccord comprenant des semi-conducteurs de puissance (3) déconnectables montés en série entre les pôles (5, 6) et un circuit protecteur, ce circuit protecteur présentant au moins une inductance limiteuse de courant (LON1, LON2) en série avec les semi-conducteurs de puissance (3) et une protection de coupure. Cette protection de coupure présente des unités de coupure (10, 11) disposées en parallèle avec chaque semi-conducteur de puissance, ces unités de coupure (10, 11) comprenant une diode de coupure (DS1,DON1, DS2, DON2) de même sens que le semi-conducteur de puissance respectif et un condensateur de coupure (CS1,..., CS2) disposé en série avec la diode de coupure. L'objectif de l'invention est de créer un dispositif de ce type qui puisse être produit sans moyens complexes et à moindre coût, y compris pour des tensions dans la gamme des moyennes et des hautes tensions, et qui permette également d'éviter de manière fiable un endommagement des semi-conducteurs de puissance. À cet effet, les inductances limiteuses de courant (LON1, LON2) sont montées entre les semi-conducteurs de puissance (3) et une connexion entre lesdites inductances limiteuses de courant (LON1, LON2) constitue le raccord (8), les unités de coupure (11) qui sont disposées en parallèle avec les semi-conducteurs de puissance (3) entre lesquels le raccord est formé étant interconnectées à un point de potentiel entre le condensateur de coupure (CS2, CS3) respectif et la diode de coupure (DON1, DON2) au moyen d'une résistance intermédiaire (RON).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)