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1. (WO2007092893) MATERIAUX ET PROCEDES DE FABRICATION DE DIAMANTS MONOCRISTALLINS DE GRANDE DIMENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/092893    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061785
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 07.02.2007
CIB :
C30B 25/00 (2006.01), C01B 31/06 (2006.01)
Déposants : TARGET TECHNOLOGY COMPANY, LLC [US/US]; 564 Wald, Irvine, CA 92618 (US) (Tous Sauf US).
NEE, Han, H. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NEE, Han, H.; (US)
Mandataire : GANDY, Kenneth, A.; Woodard, Emhardt, Moriarty, Mcnett & Henry LLP, 111 Monument Circle, Suite 3700, Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
60/771,140 07.02.2006 US
60/784,138 20.03.2006 US
60/864,278 03.11.2006 US
Titre (EN) MATERIALS AND METHODS FOR THE MANUFACTURE OF LARGE CRYSTAL DIAMONDS
(FR) MATERIAUX ET PROCEDES DE FABRICATION DE DIAMANTS MONOCRISTALLINS DE GRANDE DIMENSION
Abrégé : front page image
(EN)Materials and methods are provided for forming single crystal diamond growth using microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) process in partial vacuum with a gaseous mixture containing a methane/ hydrogen mixture with optional nitrogen, oxygen and xenon addition. The single crystal substrate can be formed by a modified directional solidification process starting with at least one of the following: pure nickel or a nickel alloy which includes cobalt, iron, or a combination thereof using a vacuum induction melting process. A surface of the single crystal substrate is coated using an electron beam evaporation device with pure iridium or an alloy of iridium and a component selected from the group consisting of iron, cobalt, nickel, molybdenum, rhenium and a combination thereof. The alloy coated single crystal substrate is positioned in a microwave plasma CVD reactor and upon being subjected to a biased enhanced nucleation treatment in the presence of a gaseous mixture of methane, hydrogen, and other optional gases with a biased voltage of negative 100 to 400 volts supports the growth of a large single crystal diamond on it's coated surface.
(FR)L'invention porte sur des matériaux et sur des procédés permettant de réaliser la croissance d'un diamant monocristallin par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-onde (MPACVD) sous vide partiel avec un mélange gazeux contenant un mélange de méthane/hydrogène avec éventuellement des éléments d'addition tels que l'azote, l'oxygène et le xénon. Le substrat monocristallin peut être réalisé par un procédé de solidification directionnel modifié commençant par un moins un des éléments suivants: nickel pur ou un alliage de nickel contenant du cobalt, de fer ou une combinaison de ces derniers au moyen d'un procédé de fusion par induction sous vide. Une surface du substrat monocristallin est recouverte à l'aide d'un dispositif d'évaporation par faisceau d'électrons avec de l'iridium pur ou un alliage d'iridium et un composant sélectionné dans le groupe constitué de fer, de cobalt, de nickel, de molybdène, de rhénium et une combinaison desdits composants. Le substrat monocristallin recouvert d'un alliage est positionné dans un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes (MPCVD) et, une fois soumis à un traitement de nucléation amélioré polarisé en présence d'un mélange gazeux de méthane, d'hydrogène et d'autres gaz optionnels avec une tension polarisée comprise entre 100 et 400 volts négatifs, supporte la croissance d'un diamant monocristallin de grande dimension sur sa surface recouverte.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)