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1. (WO2007092868) PROCEDE DE PREPARATION D'UNE SURFACE A CARACTERISTIQUES METALLIQUES AVANT UN DEPOT METALLIQUE AUTOCATALYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/092868    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061729
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 07.02.2007
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 8/08 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
FRANK, Aaron [US/US]; (US) (US Seulement).
GONZALEZ, David [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FRANK, Aaron; (US).
GONZALEZ, David; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, MS 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/349,355 07.02.2006 US
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING A METAL FEATURE SURFACE PRIOR TO ELECTROLESS METAL DEPOSITION
(FR) PROCEDE DE PREPARATION D'UNE SURFACE A CARACTERISTIQUES METALLIQUES AVANT UN DEPOT METALLIQUE AUTOCATALYTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a method for manufacturing an interconnect suitable for a semiconductor device integrated circuit, or the like. The method for manufacturing the interconnect, in one embodiment, includes forming a first metal feature (310) over a substrate, subjecting the first metal feature to a hydrogen containing plasma (410), the hydrogen containing plasma configured to remove organic residue from an exposed surface of the first metal feature, and electroless depositing a second metal feature on the first metal feature having been subjected to the hydrogen containing plasma.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une interconnexion adaptée pour un circuit intégré de dispositif semi-conducteur, ou analogue. Le procédé de fabrication de l'interconnexion, dans un mode de réalisation, comprend la formation d'une première caractéristique métallique (310) sur un substrat, la soumission de celle-ci à un plasma contenant de l'hydrogène (410), ledit plasma étant conçu pour éliminer le résidu organique d'une surface exposée de la première caractéristique métallique, et le dépôt autocatalytique d'une seconde caractéristique métallique sur la première caractéristique métallique ayant été soumise audit plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)