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1. (WO2007092655) PROCÉDÉ DE FORMATION SÉLECTIVE DE RÉGIONS PRÉSENTANT UNE STRUCTURE ET DES PROPRIÉTÉS DIFFÉRENTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/092655    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/060259
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 09.01.2007
CIB :
H01L 29/00 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
SADAKA, Mariam, G. [LB/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Bich-yen [US/US]; (US) (US Seulement).
THEAN, Voon-yew [SG/US]; (US) (US Seulement).
WHITE, Ted, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SADAKA, Mariam, G.; (US).
NGUYEN, Bich-yen; (US).
THEAN, Voon-yew; (US).
WHITE, Ted, R.; (US)
Mandataire : KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/351,518 10.02.2006 US
Titre (EN) METHOD TO SELECTIVELY FORM REGIONS HAVING DIFFERING PROPERTIES AND STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION SÉLECTIVE DE RÉGIONS PRÉSENTANT UNE STRUCTURE ET DES PROPRIÉTÉS DIFFÉRENTES
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is formed having two physically separate regions (16, 28) with differing properties such as different surface orientation, crystal rotation, strain or composition. In one form a first layer (16) having a first property is formed on an insulating layer (14). The first layer is isolated into first (16) and second (28) physically separate areas. After this physical separation, only the first area (28) is amorphized. A donor wafer (30) is placed in contact with the first (28) and second (16) areas. The semiconductor device (10) is annealed to modify the first (28) of the first (28) and second (16) separate areas to have a different property from the second of the first and second separate areas. The donor wafer (30) is removed and at least one semiconductor structure (32, 34) is formed in each of the first (28) and second (16) physically separate areas. In another form, the separate regions (114) are a bulk substrate (112) and an electrically isolated region (116) within the bulk substrate (112).
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif à semi-conducteurs, ce dispositif comprenant deux régions (16, 28) séparées physiquement possédant des propriétés différentes, telles qu'une orientation de surface, une rotation des cristaux, une déformation ou une composition différente. Dans un mode de réalisation, une première couche (16) possédant une première propriété est formée sur une couche isolante (14). Cette première couche est divisée en une première (16) et une seconde (28) zones séparées physiquement. Après cette séparation physique, seule la première zone (28) est amorphisée. Une plaquette donneuse (30) est placée en contact avec la première (28) et la seconde (16) zones. Le dispositif à semi-conducteurs (10) est recuit pour modifier la première (28) des première (28) et seconde (16) zones séparées de sorte qu'elle possède une propriété différente de la seconde des première et seconde zones séparées. La plaquette donneuse (30) est retirée et au moins une structure à semi-conducteurs (32, 34) est formée dans chacune des première (28) et seconde (16) zones séparées physiquement. Dans un autre mode de réalisation, les régions séparées (114) se présentent sous la forme d'un substrat (112) et d'une région isolée électriquement (116) située à l'intérieur de ce substrat (112).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)