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1. (WO2007092332) CONTRÔLE HAUTE RÉSOLUTION DE VARIATIONS DE DIMENSIONS CRITIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/092332    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/002935
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 02.02.2007
CIB :
G01B 11/06 (2006.01)
Déposants : THERMA-WAVE, INC. [US/US]; 1250 Reliance Way, Fremont, CA 94539 (US) (Tous Sauf US).
OPSAL, Jon [US/US]; (US) (US Seulement).
GRODNENSKY, Ilya [US/US]; (US) (US Seulement).
POIS, Heath [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : OPSAL, Jon; (US).
GRODNENSKY, Ilya; (US).
POIS, Heath; (US)
Mandataire : POLLOCK, Michael, J.; Stallman & Pollock LLP, 353 Sacramento Street, Suite 2200, San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
60/764,701 02.02.2006 US
60/850,603 10.10.2006 US
11/657,359 24.01.2007 US
Titre (EN) HIGH RESOLUTION MONITORING OF CD VARIATIONS
(FR) CONTRÔLE HAUTE RÉSOLUTION DE VARIATIONS DE DIMENSIONS CRITIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An optical metrology method is disclosed for evaluating the uniformity of characteristics within a semiconductor region having repeating features such a memory die. The method includes obtaining measurements with a probe laser beam having a spot size on the order of micron. These measurements are compared to calibration information obtained from calibration measurements. The calibration information is derived by measuring calibration samples with the probe laser beam and at least one other technology having added information content. In the preferred embodiment, the other technology includes at least one of spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry.
(FR)L'invention concerne un procédé de métrologie optique destiné à évaluer l'uniformité de caractéristiques dans une zone de semi-conducteurs présentant des éléments répétés tels qu'une puce mémoire. Le procédé selon l'invention consiste à prendre des mesures au moyen d'un faisceau laser de sonde présentant une taille de tâche de l'ordre du micron. Les mesures sont comparées à des informations de calibration obtenues au moyen de mesures de calibration. Les informations de calibration sont dérivées par mesure d'échantillons de calibration au moyen du faisceau laser de sonde et d'au moins une autre technologie présentant un contenu d'informations supplémentaires. Dans un mode de réalisation préféré, la technologie alternative comporte au moins une réflectométrie spectroscopique ou une ellipsométrie spectroscopique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)