WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007092019) PROCÉDÉ DE GRAVURE AVANCÉE MULTIPLEXÉE DANS LE TEMPS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/092019    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/004726
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 09.02.2006
CIB :
B44C 1/22 (2006.01), C03C 15/00 (2006.01), C03C 25/68 (2006.01), C23F 1/00 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard, Pasadena, CA 91125 (US) (Tous Sauf US).
HOCHBERG, Michael, J. [US/US]; (US) (Tous Sauf US).
BAEHR-JONES, Tom [US/US]; (US) (Tous Sauf US).
SCHERER, Axel [DE/US]; (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : HOCHBERG, Michael, J.; (US).
BAEHR-JONES, Tom; (US).
SCHERER, Axel; (US)
Mandataire : DAWES, Daniel, L.; Myers Dawes Andras & Sherman LLP, 19900 MacArthur Boulevard, Suite 1150, Irvine, California 92612 (US)
Données relatives à la priorité :
60/651,821 10.02.2005 US
11/349,865 08.02.2006 US
Titre (EN) A METHOD FOR ADVANCED TIME-MULTIPLEXED ETCHING
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE AVANCÉE MULTIPLEXÉE DANS LE TEMPS
Abrégé : front page image
(EN)A method of anisotropic plasma etching of a substrate material through a window defined in an etching mask comprises the steps of: disposing a hard mask material by injection of a precursor gas or precursor liquid and plasma-activated deposition to form a hard mask layer to form a temporary etch stop on the etching mask; anisotropically plasma etching the hard mask layer by contact with a reactive etching gas to leave a portion of the hard mask layer on vertical walls of the window in the etching mask while exposing at least part of the surface of the substrate; and selectively etching material from the substrate underlying the exposed part of the surface while leaving the portion of the hard mask layer on vertical walls of the window in place.
(FR)L'invention concerne un procédé anisotrope de gravure au plasma d'un matériau de substrat à travers une fenêtre définie dans un masque de gravure. Ledit procédé consiste: à disposer un matériau de masque dur par injection d'un gaz ou d'un liquide précurseur et par dépôt par plasma afin de former une couche de masque dur et de créer une couche d'arrêt temporaire sur le masque de gravure; à effectuer une gravure anisotrope au plasma de la couche de masque dur par contact avec un gaz de gravure réactif afin de laisser une partie de la couche de masque dur sur les parois verticales de la fenêtre du masque de gravure tout en exposant au moins une partie de la surface du substrat; et à graver sélectivement un matériau provenant du substrat sous-jacent à la partie exposée de la surface tout en laissant la partie de couche de masque dur sur les parois verticales de la fenêtre en place.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)