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1. (WO2007091696) DISPOSITIF EMETTEUR DE LUMIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091696    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052429
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 05.02.2007
CIB :
H01L 33/54 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
HOSHINA, Takaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HOSHINA, Takaharu; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-028589 06.02.2006 JP
60/775,798 23.02.2006 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF EMETTEUR DE LUMIERE
Abrégé : front page image
(EN)An object of the present invention is to provide a light emitting device with excellent light extraction efficiency due to reduced self-absorption of light from the light emitting element. The inventive light emitting device comprises a board, a semiconductor light emitting element formed on the board optionally via a submount, a cap sealing the semiconductor light emitting element and a reflector provided surrounding the cap, wherein the cap has top and bottom surfaces that are parallel to the top surface of the semiconductor light emitting element, and the spacing between the top and bottom surfaces is 1-3 times the longest diagonal or the diameter of the semiconductor light emitting element.
(FR)L'invention concerne un dispositif émetteur de lumière bénéficiant d'un coefficient d'extraction de lumière élevé du fait d'une réduction des effets d'auto-absorption. Le dispositif émetteur de lumière comprend une plaquette, un élément émetteur de lumière à semiconducteur monté sur la plaquette éventuellement au moyen d'un support, une coiffe protégeant hermétiquement l'élément émetteur de lumière et un réflecteur entourant la coiffe. La coiffe présente des surfaces de dessus et de dessous parallèles à la surface de dessus de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur, et la distance séparant les surfaces de dessus et de dessous est de 1 à 3 fois supérieure à la plus grande diagonale ou au diamètre de l'élément émetteur de lumière à semiconducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)