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1. (WO2007091637) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091637    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052220
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 08.02.2007
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : Rohm Co., Ltd. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
TSUTSUMI, Kazuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SONOBE, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAMAI, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TSUTSUMI, Kazuaki; (JP).
ITO, Norikazu; (JP).
SONOBE, Masayuki; (JP).
TAMAI, Shinichi; (JP)
Mandataire : YOSHIDA, Minoru; 2-32-1301, Tamatsukuri-motomachi, Tennoji-ku, Osaka-shi, Osaka 5430014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-030963 08.02.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体発光素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting device comprising substrate (1); n-GaN layer (2) supported by the substrate (1); p-GaN layer (7) provided at a position with a spacing from the substrate (1) greater than that of the n-GaN layer (2); active layer (4) containing InGaN provided between the n-GaN layer (2) and the p-GaN layer (7); sublimation prevention layer (5) containing InGaN provided between the active layer (4) and the p-GaN layer (7); and In composition gradient layer (6) interposed between the sublimation prevention layer (5) and the p-GaN layer (7) wherein the In composition ratio is inclined in the thickness direction so as to be low as the distance to the p-GaN layer (7) is decreased.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur émetteur de lumière comprenant un substrat (1) ; une couche de GaN (2) de type n supportée par le substrat (1) ; une couche de GaN (7) de type p disposée à une position dont la distance au substrat (1) est supérieure à celle de la couche de GaN (2) de type n ; une couche active (4) contenant de l'InGaN insérée entre la couche de GaN (2) de type n et la couche de GaN (7) de type p ; une couche de prévention de sublimation (5) contenant de l'InGaN insérée entre la couche active (4) et la couche de GaN (7) de type p ; et une couche de gradient de composition d'In (6) intercalée entre la couche de prévention de sublimation (5) et la couche de GaN (7) de type p, le rapport de composition d'In étant incliné dans la direction de l'épaisseur de sorte qu'il diminue avec la distance à la couche de GaN (7) de type p.
(JA)本発明の半導体発光素子は、基板(1)と、基板(1)に支持されたn-GaN層(2)と、n-GaN層(2)よりも基板(1)に対して離間した位置に形成されたp-GaN層(7)と、n-GaN層(2)およびp-GaN層(7)の間に形成されており、かつInGaNを含む活性層(4)と、活性層(4)とp-GaN層(7)との間に形成されており、かつInGaNを含む昇華防止層(5)と、昇華防止層(5)とp-GaN層(7)とに挟まれており、かつその厚さ方向においてInの組成比がp-GaN層(7)に近づくほど小となるように傾斜させられているIn組成傾斜層(6)とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)