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1. (WO2007091532) DISPOSITIF DE COMMUTATION, CIRCUIT INTÉGRÉ LOGIQUE RÉINSCRIPTIBLE ET DISPOSITIF MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091532    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051960
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 06.02.2007
CIB :
H01L 49/00 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
IGUCHI, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IGUCHI, Noriyuki; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg., 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-032394 09.02.2006 JP
Titre (EN) SWITCHING DEVICE, REWRITABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUTATION, CIRCUIT INTÉGRÉ LOGIQUE RÉINSCRIPTIBLE ET DISPOSITIF MÉMOIRE
(JA) スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a switching device comprising an ion conductive layer (23) containing titanium oxide, a first electrode (21) arranged in contact with the ion conductive layer (23), and a second electrode (22) which is arranged in contact with the ion conductive layer (23) and capable of supplying metal ions into the ion conductive layer (23).
(FR)La présente invention concerne un dispositif de commutation comprenant une couche conductrice d'ions (23) contenant de l'oxyde de titane, une première électrode (21) qui est disposée en contact avec la couche conductrice d'ions (23), et une seconde électrode (22) qui est disposée en contact avec la couche conductrice d'ions (23) et est capable de transmettre des ions métalliques dans la couche conductrice d'ions (23).
(JA) 酸化チタンを含むイオン伝導層23と、イオン伝導層23に接して設けられた第1電極21と、イオン伝導層23に接して設けられ、イオン伝導層23に金属イオンを供給可能な第2電極22とを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)