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1. (WO2007091500) ELEMENT EMETTEUR DE LUMIERE, DISPOSITIF EMETTEUR DE LUMIERE, ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091500    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051867
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 30.01.2007
CIB :
H05B 33/14 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/58 (2006.01), C09K 11/62 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
SAKATA, Junichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Yoshiaki; (US Seulement).
KAWAKAMI, Takahiro; (US Seulement).
YOKOYAMA, Kohei; (US Seulement).
KATAYAMA, Miki; (US Seulement).
MATSUBARA, Rie; (US Seulement)
Inventeurs : SAKATA, Junichiro; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiaki; .
KAWAKAMI, Takahiro; .
YOKOYAMA, Kohei; .
KATAYAMA, Miki; .
MATSUBARA, Rie;
Données relatives à la priorité :
2006-034581 10.02.2006 JP
Titre (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ELEMENT EMETTEUR DE LUMIERE, DISPOSITIF EMETTEUR DE LUMIERE, ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting element is provided, which comprises a pair of electrodes, a p-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer. The p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are interposed between the pair of electrodes. The p-type semiconductor layer includes a first sulfide, and the n-type semiconductor layer includes a second sulfide. At least one of the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer includes a light emitting center.
(FR)L'invention concerne un élément émetteur de lumière, comprenant une paire d'électrodes, une couche en semiconducteur du type P, et une couche en semiconducteur du type N. La couche en semiconducteur du type P et la couche en semiconducteur du type N sont intercalées entre la paire d'électrodes. La couche en semiconducteur du type P comprend un premier sulfure, et la couche en semiconducteur du type N comprend un deuxième sulfure. Au moins une des couches en semiconducteur du type P et en semiconducteur du type N comporte un centre émetteur de lumière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)