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1. (WO2007091451) PROCEDE D'EVACUATION DE GAZ D'UN FOUR CONTINU ET STRUCTURE D'EVACUATION DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091451    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051507
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 30.01.2007
CIB :
F27B 9/30 (2006.01), F27B 9/04 (2006.01), F27D 17/00 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
MIYATA, Jotaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOSHIMA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IHARA, Chikashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYATA, Jotaro; (JP).
GOSHIMA, Takashi; (JP).
IHARA, Chikashi; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building 20-18, Asakusabashi 3-chome Taito-ku, Tokyo 1110053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-033755 10.02.2006 JP
Titre (EN) METHOD OF DISCHARGING GAS FROM CONTINUOUS OVEN AND GAS DISCHARGE STRUCTURE
(FR) PROCEDE D'EVACUATION DE GAZ D'UN FOUR CONTINU ET STRUCTURE D'EVACUATION DE GAZ
(JA) 連続炉の排気方法および排気構造
Abrégé : front page image
(EN)In the burning of an object containing silicon metal as a component or of SiC or Si3N4, the SiO volatilized can be safely discharged without depositing on the inner wall of the oven or the inner surface of the gas discharge duct. In the method, which is a gas discharge method for a continuous oven for continuously burning a silicon-metal-containing object or SiC or Si3N4, which is highly refractory, 1) an oven gas containing SiO volatilized during the burning is discharged from the oven. A gas discharge pipe (2) for use in this discharge is disposed so as to extend from that upper part of a side wall (12) of the oven which has a temperature (1,300°C or higher) higher than the condensation temperature of the SiO volatilized during the burning. 2) The SiO discharged is oxidized outside the oven to make it harmless. The oven gas discharged through the gas discharge pipe (2) is led to a gas discharge cylinder (3) connected to the oven outlet side of the gas discharge pipe (2). This gas discharge cylinder (3) has oxygen supply holes (31a) and (31b). Oxygen supplied from an adequate oxygen supply source is sent into the gas discharge cylinder (3), whereby the SiO led to the gas discharge cylinder (3) reacts with the oxygen to become harmless.
(FR)L'invention a pour objet de permettre, lors de la combustion d'un objet contenant comme composant du silicium métal, du SiC ou du Si3N4, d'évacuer de façon sûre le SiO volatilisé sans dépôts sur la paroi intérieure du four ou sur la surface intérieure du conduit d'évacuation de gaz. Dans le procédé de l'invention, qui est un procédé d'évacuation de gaz pour four continu destiné à brûler en continu un objet contenant du silicium métal, du SiC ou du Si3N4, qui sont hautement réfractaires, 1) un gaz de four contenant du SiO volatilisé au cours de la combustion est évacué du four. Une conduite (2) d'évacuation de gaz destinée à être utilisée pour cette évacuation est disposée de façon à s'étendre de la partie supérieure d'une paroi latérale (12) du four portée à une température (supérieure ou égale à 1300°C) supérieure à la température de condensation du SiO volatilisé au cours de la combustion. 2) Le SiO évacué est oxydé à l'extérieur du four pour le rendre inoffensif. Le gaz de four évacué par la conduite (2) d'évacuation de gaz est acheminé jusqu'à une bonbonne (3) d'évacuation de gaz reliée au côté sortie de four de la conduite (2) d'évacuation de gaz. Cette bonbonne (3) d'évacuation de gaz est dotée de trous (31a) et (31b) d'alimentation en oxygène. L'oxygène fourni par une source appropriée d'alimentation en oxygène est envoyé dans la bonbonne (3) d'évacuation de gaz, suite à quoi le SiO acheminé jusqu'à la bonbonne (3) d'évacuation de gaz réagit avec l'oxygène pour devenir inoffensif.
(JA) 金属Si成分を含む被焼成物やSiC、またはSiの焼成の場合、揮発したSiOを炉内壁や排気ダクト内面に付着させることなく、安全に排気することを可能とする。金属Siを含有する被焼成物、または高耐火性のSiCもしくはSiを連続焼成する連続炉の排気方法であって、1)焼成時に揮発したSiOを含む炉内ガスを炉外に排気する。この排気に利用する排気管2は、焼成時に揮発したSiOの凝縮温度より高温度領域(1300°C以上)の炉内側壁12の上部に配置する。2)排気したSiOを炉外において酸化して無害化する。前記排気管2によって排気された炉内ガスを、排気管2の炉外出口側に接続した排気筒3に導く。この排気筒3には、酸素供給孔31a、31bが設けられ、適宜な酸素供給源から供給される酸素を排気筒3内に送り込むことによって、排気筒3に導かれたSiOは酸素と反応し、無害化される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)