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1. (WO2007091383) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091383    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/000037
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 29.01.2007
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H04L 25/06 (2006.01), H04L 25/03 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
ANDO, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAMOTO, Hironobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKAMOTO, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ANDO, Yuji; (JP).
MIYAMOTO, Hironobu; (JP).
OKAMOTO, Yasuhiro; (JP).
NAKAYAMA, Tatsuo; (JP).
INOUE, Takashi; (JP)
Mandataire : HAYAMI, Shinji; Gotanda TG Bldg. 9F 9-2, Nishi-Gotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-034252 10.02.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)An electron supply layer (13) forms a heterojunction with a channel layer (12) and contains InzAlxGa1-z-xN (0 ≤ z < 1, 0 < x < 1, 0 < x + z < 1). On the electron supply layer (13), a gate electrode (17) is arranged in contact with the electron supply layer (13). The Al composition ratio x1 at the interface between the electron supply layer (13) and the channel layer (12) and the Al composition ratio xa at the interface between the electron supply layer (13) and the gate electrode (17) satisfy the following conditions. x1/2 ≤ xa < x1 x1 ≤ 0.3
(FR)Selon l'invention, une couche d'alimentation en électrons (13) forme une hétérojonction avec une couche de canal (12) et contient du InzAlxGa1-z-xN (0 ≤ z < 1, 0 < x < 1, 0 < x + z < 1). Sur la couche d'alimentation en électrons (13), une électrode de grille (17) est placée en contact avec la couche d'alimentation en électrons (13). La proportion d'Al x1 de la composition à l'interface entre la couche d'alimentation en électrons (13) et la couche de canal (12), ainsi que la proportion d'Al xa à l'interface entre la couche d'alimentation en électrons (13) et l'électrode de grille (17) satisfont aux conditions suivantes x1/2 ≤ xa < x1, x1 ≤ 0,3.
(JA) 電子供給層13は、チャネル層12とヘテロ接合しており、InzAlxGa1-z-xN(0≦z<1、0<x<1、0<x+z<1)を含む層である。電子供給層13上には、電子供給層13に接するゲート電極17が設置されている。電子供給層13のチャネル層12との界面におけるAl組成比x1および電子供給層13のゲート電極17との界面におけるAl組成比xaは、以下の条件を満たす。 x1/2≦xa<x1    x1≦0.3
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)