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1. (WO2007091326) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091326    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/302240
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 09.02.2006
CIB :
H01L 49/02 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (Tous Sauf US).
TERAO, Motoyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUROTSUCHI, Kenzo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEMURA, Riichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAURA, Norikatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HANZAWA, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TERAO, Motoyasu; (JP).
KUROTSUCHI, Kenzo; (JP).
TAKEMURA, Riichiro; (JP).
TAKAURA, Norikatsu; (JP).
HANZAWA, Satoru; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates 6th Floor, Kokusai Chusei Kaikan, 14, Gobancho Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Over an insulating film (31) having a plug (35) buried therein, there are sequentially formed a second component releasing region (45) made of a first component and a second component, a solid electrolyte region (46) made of a chalcogenide, and an upper electrode region (47). The second component releasing region (45) of the first component and the second component is formed of domed electrode portions (43) and an insulating film (44) burying the peripheries of the electrode portions (43), and at least one electrode portion (43) exists over a plug (34). The electrode portions (43) are formed of a first portion made of the first component such as a tantalum oxide stable even if fed with an electric field, and a second component such as copper or silver diffusible to migrate into a solid electrolyte region (42) when fed with the electric field. Information is stored when the second component fed from the electrode portions (43) migrates in the solid electrolyte region (46).
(FR)La présente invention consiste à former séquentiellement, sur une pellicule isolante (31) dans laquelle est enterrée un connecteur (35), une seconde zone de libération de composants (45) constituée d'un premier composant et d'un second composant, une zone d'électrolyte solide (46) constituée d'un chalcogénure, et une zone d'électrode supérieure (47). La seconde zone de libération de composants (45) du premier composant et du second composant est constituée de parties d'électrodes en dôme (43) et d'une pellicule isolante (44) enterrant les périphéries des parties d'électrodes (43), au moins une partie d'électrode (43) étant disposée sur un connecteur (34). Les parties d'électrodes (43) sont constituées d'une première partie constituée du premier compostant comme l'oxyde de tantale stable même lorsqu'il est alimenté par un champ électrique, et d'un second composant comme le cuivre ou l'argent diffusible et pouvant migrer dans une zone d'électrolyte solide (42) lorsqu'il est alimenté par le champ électrique. Des informations sont enregistrées lorsque le second composant provenant des parties d'électrodes (43) migre dans la zone d'électrolyte solide (46).
(JA) プラグ(35)が埋め込まれた絶縁膜(31)上に第1の構成物と第2の構成物とからなる第2構成物放出領域(45)とカルコゲナイドからなる固体電解質領域(46)と上部電極領域(47)が順に形成されている。第1の構成物と第2の構成物からなる第2構成物放出領域(45)は、ドーム状の電極部分(43)と、電極部分(43)の周囲を埋める絶縁膜(44)とからなり、プラグ(34)上に少なくとも1つの電極部分(43)が存在している。電極部分(43)は、酸化タンタルのような電界が印加されても安定な第1の構成物からなる第1の部分と、銅または銀のような電界の印加により固体電解質領域(42)中へ拡散して移動しやすい第2の構成物からなる第2の部分とからなる。電極部分(43)から供給された第2の構成物が固体電解質領域(46)中を移動することにより情報が記憶される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)