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1. (WO2007091031) CAPTEUR D'IMAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/091031    N° de la demande internationale :    PCT/GB2007/000386
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 05.02.2007
CIB :
H01L 27/30 (2006.01)
Déposants : ISIS INNOVATION LIMITED [GB/GB]; Ewert House, Ewert Place, Oxford OX2 7SG (GB) (Tous Sauf US).
BURN, Paul, Leslie [AU/GB]; (GB) (US Seulement).
COLLINS, Stephen [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BURN, Paul, Leslie; (GB).
COLLINS, Stephen; (GB)
Mandataire : BARKER BRETTELL LLP; 138 Hagley Road, Edgbaston, Birmingham B16 9PW (GB)
Données relatives à la priorité :
0602347.7 06.02.2006 GB
Titre (EN) IMAGE SENSOR COMPRISING A PHOTOSENSITIVE DENDRIMER
(FR) CAPTEUR D'IMAGE
Abrégé : front page image
(EN)An image sensor comprises an array of photodiodes, each photodiode comprising a photo-sensitive material including a dendrimer arranged to receive incident light. The photodiodes may be separate or may be regions of a layer of photo-sensitive material. In respect of each photodiode, a first electrode and a second electrode is disposed on opposite sides of the respective photodiode to receive a photo-current from the photodiode. A MOS circuit layer is disposed under the photodiodes of photo-sensitive material. The MOS circuit provides detection circuits connected to the electrodes to detect the photo-currents. Use of a dendrimer provides the benefits of availability of desired properties to sensors. By provision of the dendrimer over the MOS circuit layer, the area of the pixel can be increased as compared to MOS pixel for a given resolution.
(FR)La présente invention concerne un capteur d'image qui comprend une matrice de photodiodes, chaque photodiode comprenant un matériau photosensible comprenant un dendrimère afin de recevoir une lumière incidente. Les photodiodes peuvent être séparées ou peuvent être des régions d'une couche de matériau photosensible. Par rapport à chaque photodiode, une première électrode et une seconde électrode sont disposées sur des côtés opposés de la photodiode respective afin de recevoir un photocourant provenant de la photodiode. Une couche à circuit MOS est disposée sous les photodiodes de matériau photosensible. Le circuit MOS prévoit des circuits de détection connectés aux électrodes afin de détecter les photocourants. L'utilisation d'un dendrimère fournit aux capteurs les bénéfices de la disponibilité de propriétés désirées. Par la mise à disposition du dendrimère sur la couche à circuit MOS, l'étendue du pixel peut être accrue par rapport à un pixel MOS pour une résolution donnée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)