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1. (WO2007090856) DISPOSITIFS CMOS AVEC ORIENTATIONS DE CANAUX HYBRIDES, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/090856    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/051189
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 07.02.2007
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; Po Box 41, Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
CHEN, Xiangdong [CN/US]; (US) (US Seulement).
DYER, Thomas, Walter [US/US]; (US) (US Seulement).
TOOMEY, James, Joseph [US/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Haining [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Xiangdong; (US).
DYER, Thomas, Walter; (US).
TOOMEY, James, Joseph; (US).
YANG, Haining; (US)
Mandataire : WALDNER, Philip; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
11/307,481 09.02.2006 US
Titre (EN) CMOS DEVICES WITH HYBRID CHANNEL ORIENTATIONS, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS CMOS AVEC ORIENTATIONS DE CANAUX HYBRIDES, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor substrate (12) comprising at least first and second device regions, wherein the first device region comprises a first recess having interior surfaces (25) oriented along a first set of equivalent crystal planes, and wherein the second device region comprises a second recess having interior surfaces (35) oriented along a second, different set of equivalent crystal planes. A semiconductor device structure can be formed using such a semiconductor substrate. Specifically, at least one n-channel field effect transistor (n-FET) can be formed at the first device region, which comprises a channel that extends along the interior surfaces of the first recess. At least one p-channel field effect transistor (p-FET) can be formed at the second device region, which comprises a channel that extends along the interior surfaces of the second recess.
(FR)La présente invention concerne un substrat semi-conducteur (12) comprenant au moins des première et seconde zones de dispositif, la première zone de dispositif comprenant un premier retrait comportant des surfaces intérieures (25) orientées le long d'un premier ensemble de plans cristallins équivalents, et la seconde zone de dispositif comprenant un second retrait comportant des surfaces intérieures (35) orientées le long d'un second ensemble différent de plans cristallins équivalents. Un tel substrat semi-conducteur permet de réaliser une structure de dispositif semi-conducteur. Il permet spécifiquement de réaliser au moins un transistor à effet de champ à canal n (n-FET) sur la première zone de dispositif, qui comprend un canal qui s'étend le long des surfaces intérieures du premier retrait, et au moins un transistor à effet de champ à canal p (p-FET) sur la seconde zone de dispositif, qui comprend un canal qui s'étend le long des surfaces intérieures du second retrait.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)