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1. (WO2007090432) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ D'EXPLOITATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/090432    N° de la demande internationale :    PCT/EP2006/001305
Date de publication : 16.08.2007 Date de dépôt international : 09.02.2006
CIB :
G06F 13/16 (2006.01), G11C 16/16 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
KRUECKEN, Joachim [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KRUECKEN, Joachim; (DE)
Mandataire : WHARMBY, Martin, A.; Impetus IP Ltd, Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke, Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) AN ELECTRONIC DEVICE HAVING A MEMORY ELEMENT AND METHOD OF OPERATION THEREFOR
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ D'EXPLOITATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)An electronic device (200) comprises a processing unit (220) operably coupled to a buffer random access memory (RAM) (215), in turn operably coupled to a non-volatile memory (205) configured to emulate an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM). The processing unit (220) is arranged to transfer data between the buffer RAM (215) and the non- volatile memory (205) at a first clock frequency. A second RAM (225) is operably coupled between the processing unit (220) and the non-volatile memory (205) and the processing unit (220) sets a Tag bit in the second RAM (225) to identify an address in the buffer RAM (215) that is being written to or read from by the processing unit (220).
(FR)L'invention concerne un dispositif électronique (200) comprenant une unité (220) de traitement couplée de manière opérationnelle à une mémoire à accès aléatoire (RAM) tampon (215), à son tour couplée de manière opérationnelle à une mémoire non volatile (205) conçue pour émuler une mémoire morte effaçable et programmable électriquement (EEPROM). L'unité (220) de traitement est destinée à transférer des données entre la mémoire RAM tampon (215) et la mémoire non volatile (205) à une première fréquence d'horloge. Une seconde mémoire RAM (225) est couplée de manière opérationnelle entre l'unité (220) de traitement et la mémoire non volatile (205), et l'unité (220) de traitement utilise un bit drapeau dans la seconde mémoire RAM (225) pour identifier une adresse dans la mémoire tampon RAM (215) écrite ou lue par l'unité (220) de traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)