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1. (WO2007089654) ISOLEMENT DE DÉTECTION CAPACITIF UTILISANT DES DIODES POLARISÉES EN INVERSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/089654    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/002287
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 26.01.2007
CIB :
G01D 5/24 (2006.01), B60R 21/015 (2006.01), G01D 21/02 (2006.01)
Déposants : TK HOLDINGS INC. [US/US]; 2500 Takata Drive, Auburn Hills, Michigan 48326 (US) (Tous Sauf US).
KOCH, Stu [US/US]; (US) (US Seulement).
MAGUIRE, Phil [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOCH, Stu; (US).
MAGUIRE, Phil; (US)
Mandataire : KAMINSKI, Michael, D.; Foley & Lardner Llp, 3000 K St., N.W., Suite 500, Washington, DC 20003-5143 (US)
Données relatives à la priorité :
60/762,125 26.01.2006 US
Titre (EN) CAPACITIVE SENSING ISOLATION USING REVERSED BIASED DIODES
(FR) ISOLEMENT DE DÉTECTION CAPACITIF UTILISANT DES DIODES POLARISÉES EN INVERSE
Abrégé : front page image
(EN)A capacitive sensor is provided. The capacitive sensor includes a sensor/heat pad for outputting a sensing signal, a first diode coupled to a first node of the sensor/heat pad, a second diode coupled to a second node of the sensor/heat pad, a first transistor coupled to the first diode and a second transistor coupled to the second diode. During a sensing mode, the first and second transistors are opened and a reverse-biased signal is applied to the first diode and the second diode so that the sensor/heat pad is isolated from the first and second transistors.
(FR)L'invention concerne un capteur capacitif. Le capteur capacitif inclut un capteur ou une plage de connexion de chaleur permettant de fournir en sortie un signal de détection, une première diode reliée à un premier nœud du capteur ou de la plage de connexion de chaleur, une seconde diode reliée à un second nœud du capteur ou de la plage de connexion de chaleur, un premier transistor relié à la première diode et un second transistor relié à la seconde diode. Pendant un mode de détection, les premier et second transistors sont ouverts et un signal de polarisation inverse est appliqué à la première diode et à la seconde diode de telle sorte que le capteur ou la plage de connexion de chaleur soit isolé(e) des premier et second transistors.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)