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1. (WO2007089561) CAPTEUR D'ULTRA HAUTE PRESSION BASÉ SUR UNE TECHNOLOGIE DES COUCHES ÉPAISSES UTILISANT UNE CONSTRUCTION DE PORT ET DIAPHRAGME INTÉGRÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/089561    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/002133
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 26.01.2007
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), G01L 19/06 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US) (Tous Sauf US).
RICKS, Lamar, F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RICKS, Lamar, F.; (US)
Mandataire : HOIRIIS, David; Honeywell International Inc., 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Données relatives à la priorité :
11/343,519 30.01.2006 US
Titre (EN) THICK FILM TECHNOLOGY BASED ULTRA HIGH PRESSURE SENSOR UTILIZING INTEGRAL PORT AND DIAPHRAGM CONSTRUCTION
(FR) CAPTEUR D'ULTRA HAUTE PRESSION BASÉ SUR UNE TECHNOLOGIE DES COUCHES ÉPAISSES UTILISANT UNE CONSTRUCTION DE PORT ET DIAPHRAGME INTÉGRÉS
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for configuring a pressure sensor. A homogeneous, piece of metal can be provided. A pressure port and a machined diaphragm are integrated onto the homogeneous piece of metal, wherein the machined diaphragm is connected to the pressure port. The machined diaphragm can be configured utilizing Advanced Thick Film (ATF) technology, thereby providing a high-pressure pressure sensor for use in high-pressure sensing application based on the pressure port and the machined diaphragm and related pressure sensor components thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil permettant de concevoir un capteur de pression. Une pièce de métal homogène peut être utilisée. Un port de pression et un diaphragme usiné sont intégrés sur la pièce de métal homogène, le diaphragme usiné étant relié au port de pression. Le diaphragme usiné peut être conçu à l'aide d'une technologie des couches épaisses avancée (ATF), permettant ainsi d'obtenir un capteur de pression haute pression destiné à être utilisé dans une application de détection de haute pression basée sur le port de pression et le diaphragme usiné ainsi que sur des composants de détection de pression associés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)