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1. (WO2007089468) ARCHITECTURE POUR SYSTEME D'IMPLANTATION D'IONS PAR FAISCEAU IONIQUE PLAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/089468    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/001665
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 22.01.2007
CIB :
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/30 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
SAADATMAND, Kourosh [US/US]; (US) (US Seulement).
KELLERMAN, Peter L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SAADATMAND, Kourosh; (US).
KELLERMAN, Peter L.; (US)
Mandataire : FABER, Scott R.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930-2297 (US)
Données relatives à la priorité :
11/275,772 27.01.2006 US
Titre (EN) ARCHITECTURE FOR RIBBON ION BEAM ION IMPLANTER SYSTEM
(FR) ARCHITECTURE POUR SYSTEME D'IMPLANTATION D'IONS PAR FAISCEAU IONIQUE PLAT
Abrégé : front page image
(EN)An architecture (100) for a ribbon ion beam ion implanter system (102) is disclosed. In one embodiment, the architecture (100) includes an acceleration/deceleration parallelizing lens system (120) for receiving a fanned ribbon ion beam (124) and for at least parallelizing (and perhaps also accelerate or decelerate) the fanned ribbon ion beam (124) into a substantially parallel ribbon ion beam (112), and an energy filter system (122) downstream from the acceleration/deceleration parallelizing lens system (120) and prior to a work piece (128) to be implanted by the substantially parallel ribbon ion beam. The acceleration/deceleration parallelizing lens system (120) includes lenses (126) for at least parallelizing (and perhaps also accelerate or decelerate) the fanned ribbon ion beam (124) and acceleration/deceleration lenses for accelerating or decelerating the substantially parallel ribbon ion beam (112). The parallelizing lens allows delivery of a high current ribbon ion beam to the work piece (128) with energy that can extend down to as low as approximately 200 eV.
(FR)L'invention concerne une architecture pour un système d'implantation d'ions par faisceau ionique plat. Dans un mode de réalisation, l'architecture comprend un système de lentilles de parallélisation accélérateur/décélérateur destiné à recevoir un faisceau ionique plat en éventail et, au moins, à paralléliser (et éventuellement également à accélérer ou à décélérer) le faisceau ionique plat en éventail pour former un faisceau ionique plat sensiblement parallèle; et un système de filtres d'énergie placé en aval du système de lentilles de parallélisation accélérateur/décélérateur et en amont d'une pièce à travailler dans laquelle une implantation d'ions doit être réalisée par le faisceau ionique plat sensiblement parallèle. Le système de lentilles de parallélisation accélérateur/décélérateur comporte des lentilles destinées, au moins, à paralléliser (et éventuellement également à accélérer ou à décélérer) le faisceau ionique plat en éventail, et des lentilles accélératrices/décélératrices destinées à accélérer ou à décélérer le faisceau ionique plat sensiblement parallèle. Les lentilles de parallélisation permettent de bombarder la pièce à travailler d'un faisceau ionique plat à fort courant dont l'énergie peut descendre jusqu'à environ 200 eV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)