WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007089223) COUCHE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ULTRAFAIBLE ET CONTRAINTE BIAXIALE CONTRÔLÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/089223    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/001154
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 12.01.2006
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), B32B 3/26 (2006.01), B05C 11/00 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
DIMITRAKOPOULOS, Christos, D. [GR/US]; (US) (US Seulement).
GATES, Stephen, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
GRILL, Alfred [US/US]; (US) (US Seulement).
LANE, Michael, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
LINIGER, Eric, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Xiao, Hu [CN/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Son, Van [US/US]; (US) (US Seulement).
NEUMAYER, Deborah, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAW, Thomas, M. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DIMITRAKOPOULOS, Christos, D.; (US).
GATES, Stephen, M.; (US).
GRILL, Alfred; (US).
LANE, Michael, W.; (US).
LINIGER, Eric, G.; (US).
LIU, Xiao, Hu; (US).
NGUYEN, Son, Van; (US).
NEUMAYER, Deborah, A.; (US).
SHAW, Thomas, M.; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, P.C., 400 Garden City Plaza, Garden City, NY 11530 (US)
Données relatives à la priorité :
11/034,479 13.01.2005 US
Titre (EN) ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT LAYER WITH CONTROLLED BIAXIAL STRESS
(FR) COUCHE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ULTRAFAIBLE ET CONTRAINTE BIAXIALE CONTRÔLÉE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a ultralow dielectric constant layer with controlled biaxial stress is described incorporating the steps of forming a layer containing Si, C, O and H by one of PECVD and spin-on coating and curing the film in an environment containing very low concentrations of oxygen and water each less than 10 ppm. A material is also described by using the method with a dielectric constant of not more than 2.8. The invention overcomes the problem of forming films with low biaxial stress less than 46 MPa.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former une couche à constante diélectrique ultrafaible et contrainte biaxiale contrôlée, qui consiste à former une couche contenant Si, C, O et H par dépôt en phase vapeur amélioré par plasma (plasma enhanced chemical vapor deposition / PECVD); et à revêtir par rotation et à durcir le film dans un environnement contenant de très faibles concentrations d'oxygène et d'eau (toutes deux inférieures à 10 ppm). L'invention a également pour objet une matière ayant une constante diélectrique inférieure ou égale à 2,8, produite au moyen du procédé de l'invention. L'invention permet de pallier le problème lié à la formation de films ayant une contrainte bixiale faible de moins de 46 MPa.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)