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1. (WO2007089042) DISPOSITIF LASER ÉMETTANT EN SURFACE ET MATRICE DE LASER ÉMETTANT EN SURFACE LE COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/089042    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052298
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 02.02.2007
CIB :
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/42 (2006.01)
Déposants : RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo, 1438555 (JP) (Tous Sauf US).
SATO, Shunichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARA, Kei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
JIKUTANI, Naoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATO, Shunichi; (JP).
HARA, Kei; (JP).
JIKUTANI, Naoto; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-027466 03.02.2006 JP
2006-057535 03.03.2006 JP
2006-250384 15.09.2006 JP
Titre (EN) SURFACE-EMITTING LASER DEVICE AND SURFACE-EMITTING LASER ARRAY INCLUDING SAME
(FR) DISPOSITIF LASER ÉMETTANT EN SURFACE ET MATRICE DE LASER ÉMETTANT EN SURFACE LE COMPRENANT
Abrégé : front page image
(EN)A surface-emitting laser device is disclosed that includes a substrate connected to a heat sink; a first reflective layer formed of a semiconductor distributed Bragg reflector on the substrate; a first cavity spacer layer formed in contact with the first reflective layer; an active layer formed in contact with the first cavity spacer layer; a second cavity spacer layer formed in contact with the active layer; and a second reflective layer formed of a semiconductor distributed Bragg reflector in contact with the second cavity spacer layer. The first cavity spacer layer includes a semiconductor material having a thermal conductivity greater than the thermal conductivity of a semiconductor material forming the second cavity spacer layer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif laser émettant en surface qui comprend un substrat connecté à un dissipateur de chaleur ; une première couche réfléchissante constituée d'un réflecteur de Bragg distribué semi-conducteur sur le substrat ; une première couche d'entretoise de cavité mise en contact avec la première couche réfléchissante, une couche active mise en contact avec la première couche d'entretoise de cavité ; une seconde couche d'entretoise de cavité mise en contact avec la couche active; et une seconde couche réfléchissante constituée d'un réflecteur de Bragg distribué semi-conducteur en contact avec la seconde couche d'entretoise de cavité. La première couche d'entretoise de cavité comprend un matériau semi-conducteur dont la conductivité thermique est supérieure à la conductivité thermique d'un matériau semi-conducteur constituant la seconde couche d'entretoise de cavité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)