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1. (WO2007089011) STRUCTURE DE REFROIDISSEMENT D'UN ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR D'ÉLECTRICITÉ, ET CONVERTISSEUR CONTINU-ALTERNATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/089011    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051885
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 30.01.2007
CIB :
H01L 23/473 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBA, Kenjiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBA, Kenjiro; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-023298 31.01.2006 JP
Titre (EN) COOLING STRUCTURE OF POWER SEMICONDUCTOR ELEMENT AND INVERTER
(FR) STRUCTURE DE REFROIDISSEMENT D'UN ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR D'ÉLECTRICITÉ, ET CONVERTISSEUR CONTINU-ALTERNATIF
(JA) パワー半導体素子の冷却構造およびインバータ
Abrégé : front page image
(EN)A cooling structure of a power semiconductor element is provided with a cooling water channel (26) and a plurality of fins (22). In the cooling water channel (26), cooling water for cooling the power semiconductor element flows. The fins (22) are arranged on the cooling water channel (26) at intervals in a direction orthogonally intersecting with the flow direction of the cooling water. The fins (22) promote heat exchange between the power semiconductor element and the cooling water. The fins (22) have ends (41) facing the upstream of the cooling water flow. The end (41) of at least one fin (22) among the fins (22) is arranged by being shifted to the upstream of the cooling water flow from the end (41) of the adjacent fins (22) on the both sides of the fin (22). Thus, the cooling structure of the power semiconductor element having excellent cooling efficiency and an inverter are provided.
(FR)On décrit une structure de refroidissement d'un élément semiconducteur d'électricité, qui comprend un canal de refroidissement (26) et plusieurs ailettes (22). De l'eau de refroidissement s'écoule dans le canal de refroidissement (26) pour refroidir l'élément semiconducteur d'électricité. Les ailettes (22) sont disposées à équidistance dans le canal de refroidissement (26), dans un sens d'intersection orthogonale avec le sens d'écoulement de l'eau de refroidissement. Les ailettes (22) favorisent l'échange de chaleur entre l'élément semiconducteur d'électricité et l'eau de refroidissement. Les extrémités (41) des ailettes (22) font face à la zone amont de l'écoulement de l'eau de refroidissement. L'extrémité (41) d'au moins une des ailettes (22) est disposée en décalage de la zone amont de l'écoulement de l'eau de refroidissement, relativement à l'extrémité (41) d'ailettes (22) adjacentes, de part et d'autre de ces dernières (22). Une structure de refroidissement de l'élément semiconducteur d'électricité présentant une excellente efficacité de refroidissement est ainsi obtenue, de même qu'un convertisseur continu-alternatif.
(JA) パワー半導体素子の冷却構造は、冷却水通路(26)と、複数のフィン(22)とを備える。冷却水通路(26)には、パワー半導体素子を冷却する冷却水が流れる。複数のフィン(22)は、冷却水通路(26)の経路上に設けられ、冷却水の流れ方向に直交する方向に互いに間隔を隔てて立設されている。複数のフィン(22)は、パワー半導体素子と冷却水との間の熱交換を促進する。複数のフィン(22)は、冷却水流れの上流側に対向する端部(41)を有する。複数のフィン(22)のうち少なくとも1つのフィン(22)の端部(41)は、そのフィン(22)の両側に隣接するフィン(22)の端部(41)よりも冷却水流れの上流側にずれて配置されている。このような構成により、冷却効率に優れたパワー半導体素子の冷却構造およびインバータを提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)