WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007088795) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE, APPAREIL D'IRRADIATION LASER, ET PROCÉDÉ D'IRRADIATION LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/088795    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/051322
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 22.01.2007
CIB :
B23K 26/067 (2006.01), B23K 26/06 (2006.01), G06K 19/07 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/112 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), B23K 101/42 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase,, Atsugi-shi,, Kanagawa2430036 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Koichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OISHI, Hirotada; (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Koichiro; (JP).
OISHI, Hirotada;
Données relatives à la priorité :
2006-026884 03.02.2006 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF MEMORY ELEMENT, LASER IRRADIATION APPARATUS, AND LASER IRRADIATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE, APPAREIL D'IRRADIATION LASER, ET PROCÉDÉ D'IRRADIATION LASER
Abrégé : front page image
(EN)A method for rapidly performing laser irradiation in a desired position as laser irradiation patterns are switched is proposed. A laser beam emitted from a laser oscillator is entered into a deflector, and a laser beam which has passed through the deflector is entered into a diffractive optical element to be diverged into a plurality of laser beams. Then, a photoresist formed over an insulating film is irradiated with the laser beam which is made to diverge into the plurality of laser beams, and the photoresist irradiated with the laser beam is developed so as to selectively etch the insulating film.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour la réalisation rapide d'irradiation laser dans une position souhaitée au fur et à mesure de la commutation de configurations d'irradiation laser. Un faisceau laser émis depuis un oscillateur laser pénètre dans un déflecteur, et un faisceau laser qui à traversé le déflecteur pénètre dans un élément optique de diffraction pour être diffracté en une pluralité de faisceaux laser. Ensuite, une photorésine formée sur un film d'isolation est irradiée avec le faisceau laser qui a été diffracté en une pluralité de faisceaux laser, et la photorésine irradiée avec le faisceau laser est développée en vue d'une gravure sélective du film d'isolation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)