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1. WO2007088754 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE ÉPITAXIALE

Numéro de publication WO/2007/088754
Date de publication 09.08.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/051031
Date du dépôt international 24.01.2007
CIB
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
H01L 21/02008
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
H01L 21/02019
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02019Chemical etching
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
Déposants
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 古屋田 栄 KOYATA, Sakae [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 高石 和成 TAKAISHI, Kazushige [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 橋井 友裕 HASHII, Tomohiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 村山 克彦 MURAYAMA, Katsuhiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 加藤 健夫 KATOH, Takeo [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 古屋田 栄 KOYATA, Sakae
  • 高石 和成 TAKAISHI, Kazushige
  • 橋井 友裕 HASHII, Tomohiro
  • 村山 克彦 MURAYAMA, Katsuhiko
  • 加藤 健夫 KATOH, Takeo
Mandataires
  • 須田 正義 SUDA, Masayoshi
Données relatives à la priorité
2006-02190231.01.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PLAQUETTE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハの製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is an epitaxial wafer manufacturing method by which surface defects on an epitaxial layer and generation of slip can be reduced. The epitaxial wafer manufacturing method is characterized in that the method includes a smoothing step of smoothing the wafer surface by controlling application of an etching solution onto the wafer surface in accordance with the surface shape of the silicon wafer, and an epitaxial layer forming step of forming an epitaxial layer composed of a silicon single crystal by epitaxial growing on the surface of the wafer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaquette épitaxiale qui permet de réduire les défauts de surface sur une couche épitaxiale et la production de glissement. Ce procédé de fabrication de plaquette épitaxiale se caractérise en ce qu'il consiste à lisser la surface de la plaquette par régulation de l'application d'une solution de gravure sur cette surface, selon la forme de la surface de la plaquette de silicium, et à former une couche épitaxiale composée d'un monocristal en silicium par croissance épitaxiale sur la surface de la plaquette.
(JA)
 エピタキシャル層に形成される表面欠陥やスリップの発生を低減し得るエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。  シリコンウェーハの表面形状に応じてウェーハ表面へのエッチング液の適用を制御することによりウェーハ表面を平滑化する平滑化工程と、ウェーハの表面にエピタキシャル成長によってシリコン単結晶からなるエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを含むことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法である。
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