WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007088739) LASER A EMISSION SUR PLAN CRISTALLIN PHOTONIQUE BIDIMENSIONNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/088739    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/050818
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 19.01.2007
CIB :
H01S 5/18 (2006.01)
Déposants : THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (Tous Sauf US).
KIYOTA, Kazuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIYOTA, Kazuaki; (JP)
Mandataire : SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office Kasumigaseki Building 2-5, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-027236 03.02.2006 JP
Titre (EN) TWO-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL PLANE EMISSION LASER
(FR) LASER A EMISSION SUR PLAN CRISTALLIN PHOTONIQUE BIDIMENSIONNEL
(JA) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a two-dimensional photonic crystal plane emission laser comprising a two-dimensional photonic crystal comprising a medium layer provided near an active layer which emits light upon carrier injection, and a medium part, different from the medium layer in refractive index, arranged periodically in the medium layer. In the two-dimensional photonic crystal, distributed feedback control photonic crystals configured so as for light propagated using the active layer as a core to cause two-dimensional distribution feedback, and plane emission control photonic crystals configured so as for the propagated light to cause plane emission are superimposed on top of each other. According to the above construction, a two-dimensional photonic crystal plane emission laser can be provided which can realize the control of the two-dimensional distributed feedback effect and the plane emission properties independently of each other for optimization.
(FR)Cette invention concerne un laser à émission sur plan cristallin photonique bidimensionnel comprenant un cristal photonique bidimensionnel comprenant une couche de support prévue près d'une couche active qui émet une lumière lors de l'injection d'une porteuse, et une partie de support, différente de la couche de support en termes d'indice de réfraction, disposée périodiquement dans la couche de support. Dans le cristal photonique bidimensionnel, des cristaux photoniques de commande de rétroaction répartie configurés de manière à ce que la lumière propagée utilisant la couche active comme noyau provoque une rétroaction de répartition bidimensionnelle et des cristaux photoniques de commande d'émission sur un plan configurés de manière à ce que la lumière propagée provoque une émission sur un plan sont superposés les uns sur les autres. En fonction de la construction ci-dessus, un laser à émission sur plan cristallin photonique bidimensionnel peut être mis à disposition, lequel est en mesure d'obtenir la commande de l'effet de rétroaction répartie et les propriétés d'émission sur un plan de manière autonome les unes aux autres pour l'optimisation.
(JA) キャリアの注入により発光する活性層の近傍に形成した媒質層に該媒質層とは屈折率が異なる媒質部を周期的に配列して2次元フォトニック結晶を形成した2次元フォトニック結晶面発光レーザであって、前記2次元フォトニック結晶は、前記活性層をコアとして伝搬する光が2次元的に分布帰還するように構成された分布帰還制御フォトニック結晶と、前記伝搬光が面発光するように構成された面発光制御フォトニック結晶とが重畳されたものである。これにより、2次元分布帰還効果と面発光特性について独立に制御して最適化することができる2次元フォトニック結晶面発光レーザが提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)