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1. (WO2007088722) SUBSTRAT TFT, SUBSTRAT TFT REFLECHISSANT ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/088722    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/050505
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 16.01.2007
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANO, Koki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Nobuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Kazuyoshi; (JP).
YANO, Koki; (JP).
TANAKA, Nobuo; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor 26, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-022332 31.01.2006 JP
2006-043521 21.02.2006 JP
2006-352764 27.12.2006 JP
2006-352765 27.12.2006 JP
Titre (EN) TFT SUBSTRATE, REFLECTIVE TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH SUBSTRATES
(FR) SUBSTRAT TFT, SUBSTRAT TFT REFLECHISSANT ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
(JA) TFT基板及び反射型TFT基板並びにそれらの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a TFT substrate and a reflective TFT substrate, which can stably operate for a long period of time, prevent cross talk and remarkably reduce the manufacturing cost by reducing the number of steps in the manufacturing process. A method for manufacturing such substrates is also provided. A TFT substrate (1) is provided with a glass substrate (10); a gate electrode (23) and a gate wiring (24), which have their top surfaces covered with a gate insulating film (30) and are insulated by having their side surfaces covered with an interlayer insulating film (50); an n-type oxide semiconductor layer (40) formed on a gate insulating film (30) on the gate electrode (23); an oxide transparent conductor layer (60) formed on the n-type oxide semiconductor layer (40) by being separated by a channel section (44); and a channel guard (500) for protecting the channel section (44).
(FR)La présente invention concerne un substrat TFT et un substrat TFT réfléchissant, pouvant fonctionner de manière stable pendant une période prolongée, éviter les interférences et réduire considérablement les coûts de fabrication en réduisant le nombre d'étapes du procédé de fabrication. L'invention concerne également un procédé de fabrication de ces substrats. Un substrat TFT (1) est muni d'un substrat de verre (10), d'une électrode de grille (23) et d'un câblage de grille (24), dont les surfaces supérieures sont recouvertes d'un film d'isolement de grille (30) et sont isolées du fait que leurs surfaces latérales sont recouvertes d'un film d'isolation entre les couches (50), d'une couche à semi-conducteurs d'oxyde de type n (40) formée sur un film d'isolement de grille (30) sur l'électrode de grille (23), d'une couche conductrice transparente d'oxyde (60) formée sur la couche à semi-conducteurs d'oxyde de type n (40) en étant séparée par une section de canal (44) et d'une protection de canal (500) pour protéger la section de canal (44).
(JA) 長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なTFT基板及び反射型TFT基板並びにそれらの製造方法の提案を目的とする。  TFT基板1は、ガラス基板10と、上面がゲート絶縁膜30に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜50に覆われることにより絶縁されたゲート電極23及びゲート配線24と、ゲート電極23上のゲート絶縁膜30上に形成されたn型酸化物半導体層40と、n型酸化物半導体層40上に、チャンネル部44によって隔てられて形成された酸化物透明導電体層60と、チャンネル部44を保護するチャンネルガード500とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)