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1. (WO2007088494) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/088494    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050210
Date de publication : 09.08.2007 Date de dépôt international : 22.01.2007
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8249 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
DONKERS, Johannes, J., T., M. [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
MEUNIER-BEILLARD, Philippe [FR/BE]; (GB) (US Seulement).
HIJZEN, Erwin [NL/BE]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : DONKERS, Johannes, J., T., M.; (GB).
MEUNIER-BEILLARD, Philippe; (GB).
HIJZEN, Erwin; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
06101072.4 31.01.2006 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a semiconductor device (10) with a substrate (12) and a semiconductor body (11) of silicon that is provided at one location (A) with a field effect or bipolar transistor (Tl) with a semiconductor region which forms part of the transistor (Tl) and which comprises a source or drain region of the field effect transistor or a base region of the bipolar transistor and which is adjacent to the surface of the semiconductor body (11), which semiconductor region is provided with an epitaxially thickened region. According to the invention the surface of the semiconductor body (11) is provided with another epitaxially thickened region (1) at a location (B) other than the location where the transistor is present, and said other epitaxially thickened region is provided with at least one pn-junction (2,3). If the device is provided with two pn-junctions (2,3) it allows advantageously the integration of a bipolar transistor (T2) into a device with a MOSFET (Tl). The pn-junctions in the epitaxially thickened region of the latter can be removed without difficulty, e.g. by overdoping. The invention also relates to a method of manufacturing such a device (10).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur (10) avec un substrat (12) et un corps semi-conducteur (11) de silicium qui comporte en un emplacement (A) un transistor à effet de champ ou bipolaire (T1) avec une zone semi-conductrice qui constitue une partie du transistor (T1) et qui comprend une zone de source ou de drain du transistor à effet de champ ou une zone de base du transistor bipolaire et qui est adjacent à la surface du corps semi-conducteur (11), ladite zone semi-conductrice comportant une zone épaissie épitaxiquement. Selon l'invention, la surface du corps semi-conducteur (11) comporte une autre zone épaissie épitaxiquement (1) à un emplacement (B) différent de l'emplacement sur lequel est présent le transistor, et ladite autre zone épaissie épitaxiquement comporte au moins une jonction pn (2,3). Si le dispositif comporte deux jonctions pn (2,3), il permet l'intégration avantageuse d'un transistor bipolaire (T2) dans un dispositif avec un MOSFET (T1). Les jonctions pn dans la zone épaissie épitaxiquement de ce dernier peuvent être retirées sans difficulté, par ex. par surdopage. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)